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Gleichrichter (74344)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDBV3-70S-G | - - - |  | 5034 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Schottky | SOT-323 | - - - | 641-CDBV3-70S-GTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
| 1N1191a | 75.5700 | | 4047 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1191 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,19 V @ 90 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40a | - - - | ||||||
 | BAT854CW-QF | 0,0669 | | 4721 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bat854 | Schottky | SOT-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BAT854CW-QFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 200 ma | 550 mV @ 100 mA | 500 NA @ 25 V. | 150 ° C. | |||||
 | FS1JFL-TP | 0,0511 | | 8947 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | Fs1j | Standard | Do-221AC (SMA-FL) | Herunterladen | 353-FS1JFL-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||
 | PMEG2015ea, 115 | 0,4800 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | PMEG2015 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 660 mV @ 1,5 a | 50 µa @ 15 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1,5a | 25pf @ 5v, 1 MHz | |||||
| CDBMTS240-HF | 0,0940 | | 2720 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123s | CDBMTS240 | Schottky | SOD-123s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 160pf @ 4V, 1 MHz | |||||
 | VS-MURB1620CTTRLP | - - - | | 6001 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Murb1620 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 8a | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||
 | DSA70C100HB | - - - | | 4970 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-247-3 | DSA70C100 | Schottky | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 35a | 920 MV @ 35 a | 450 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
 | 1N4448WS-E3-08 | 0,0342 | | 8200 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 1N4448 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 720 mv @ 5 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | - - - | ||||
 | V1F6HM3/h | 0,4300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V1f6 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 600 mv @ 1 a | 270 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 135PF @ 4V, 1 MHz | |||||
 | RS1ML | 0,0500 | | 2101 | 0.00000000 | Hy Electronic (Cayman) Limited | RS1ML | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RS1 | Standard | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 4024-rs1mltr | 5 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | |||||
| MBR880-BP | 0,2988 | | 7800 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | MBR880 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | 353-MBR880-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 850 mv @ 8 a | 150 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 280pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
 | 1N3670R | 1.9500 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3670r | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 700 V | 1,2 V @ 30 a | 10 µa @ 700 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 22a | - - - | |||||
| MSASC75H60FX/Tr | - - - | | 1978 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC75H60FX/Tr | 100 | ||||||||||||||||||||
 | TSI30H100CW | - - - | | 6189 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | TSI30 | Schottky | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 780 mv @ 15 a | 250 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
 | Jan1N5712UBCA | 84,3000 | | 1603 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Schottky | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 V @ 35 mA | 150 ° C (max) | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
 | SFF1603G C0G | - - - | | 1855 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SFF1603 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||
 | Bat54Swfilm | 0,4100 | | 24 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bat54 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 300 mA (DC) | 900 mv @ 100 mA | 5 ns | 1 µa @ 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
 | SRT8100LF_R1_00001 | - - - | | 3040 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-221aa, SMB Flat Leads | SRT8100 | Schottky | SMBF | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 790 mv @ 8 a | 50 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 360pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
| VS-72HFR120M | 21.2611 | | 7028 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 72HFR120 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS72HFR120M | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,35 V @ 220 a | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70a | - - - | |||||
 | SS22L MTG | - - - | | 2631 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS22 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 20 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||
| S2KW8C-2D | - - - | | 7161 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Chassis -berg | Modul | S2KW8 | Standard | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 8000 v | 8 V @ 3 a | 2 µs | 2 µa @ 8000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||
 | MMBD4150 | 0,2900 | | 1 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD4150 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 250 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||
 | CMPD6263C TR PBFREE | 0,5400 | | 3 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | CMPD6263 | Schottky | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 70 V | 15 Ma | 410 mv @ 1 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
 | G4S06515CT | - - - | | 1064 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 | - - - | Verkäfer undefiniert | 4436-G4S06515CT | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 35.8a | 645PF @ 0V, 1MHz | ||||||||
 | P3D12010K3 | 6.5400 | | 3747 | 0.00000000 | PN Junction Semiconductor | P3d | Rohr | Aktiv | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | 4237-P3D12010K3 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 0 ns | 44 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 46a | ||||||||||
| S400KR | 88.0320 | | 8470 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | Do-205AB, Do-9, Stud | S400 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | S400KRgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 400 a | 10 µa @ 50 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 400a | - - - | |||||
 | V12PM153HM3/i | 0,3300 | | 8471 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V12PM153HM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 850 mv @ 12 a | 150 µa @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3.7a | 820pf @ 4V, 1 MHz | |||||
 | MBRB1060CT-TP | 0,5639 | | 1387 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB1060 | Schottky | D2pak | Herunterladen | 353-MBRB1060CT-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 10a | 700 mv @ 5 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||
 | BAW56W, 135 | 0,0200 | | 210 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | BAW56 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BAW56W, 135-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 |
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