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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 16f10 | 1.6670 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-16f10 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | - - - | 16a | - - - | |||||||
![]() | 1N4002GPEHE3/73 | - - - | ![]() | 3445 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4002 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | S3dbhe3-tp | 0,1224 | ![]() | 8675 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S3d | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | 353-s3dbhe3-tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 3 a | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | 1N3292a | 15.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | Do-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3292a | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,1 V @ 200 a | 50 µa @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | |||||
![]() | RB520S-309HLTE61 | - - - | ![]() | 3101 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB520 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB520S-309HLTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | E4D10120A | 13.9000 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | E-Serie, Automobil | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | E4D10120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 1697-e4d10120a | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 10 a | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 33a | 777PF @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | RKR0503AKH#P1 | 0,1300 | ![]() | 161 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | RKR0503 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | ||||||||||||||||
![]() | S40J | 6.3770 | ![]() | 5569 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | S40JGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 40 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40a | - - - | ||||||
![]() | GP10Gehe3/54 | - - - | ![]() | 6873 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | GS2GBF | 0,0340 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-gs2gbftr | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||||
![]() | MBRBL20150CT-TP | 0,7653 | ![]() | 1361 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRBL20150 | Schottky | D2pak | Herunterladen | 353-MBRBL20150CT-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 840 mv @ 10 a | 50 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | CUD10-06 BK | - - - | ![]() | 6367 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Standard | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | CUD10-06BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 150 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 10 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 62pf @ 4V, 1 MHz | |||||
![]() | Ug06aha0g | - - - | ![]() | 8844 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | T-18, axial | UG06 | Standard | TS-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 MV @ 600 Ma | 15 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 600 mA | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | VS-8CVH02HM3/i | 0,9900 | ![]() | 222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 8cvh02 | Standard | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 4a | 1,14 V @ 8 a | 25 ns | 4 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | B340CE-13-2477 | - - - | ![]() | 7719 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | SMC | - - - | 31-B340CE-13-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 200 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 140pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | F1MF | 0,0160 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-f1mftr | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | RBR1L60ate25 | 0,2049 | ![]() | 9074 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RBR1L60 | Schottky | PMDs | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 530 mv @ 1 a | 75 µa @ 60 V | 150 ° C. | 1a | - - - | |||||
![]() | CPT60145D | - - - | ![]() | 7486 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | To-244ab | Schottky | To-244ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 45 V | 300a | 650 mv @ 300 a | 8 ma @ 45 V | ||||||||
![]() | Snrvba130lnt3g | - - - | ![]() | 7794 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | SNRVBA130 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-Snrvba130lnt3gtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | |||||||||||||||
![]() | MBR40100PT_T0_00001 | 2.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | MBR40100 | Schottky | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 3757-MBR40100PT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 40a | 800 mV @ 20 a | 50 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | CN648 Tr | - - - | ![]() | 8710 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1 V @ 400 mA | 200 NA @ 500 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 400 ma | 11pf @ 12v, 1 MHz | |||||||
Esglwhrvg | 0,4300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | Esglw | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 800 mA | 35 ns | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||
![]() | SB1003M3-TL-W. | 0,4100 | ![]() | 216 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SB1003 | Schottky | 3-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 530 mv @ 1 a | 10 ns | 15 µa @ 16 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 27pf @ 10v, 1 MHz | ||||
![]() | MMBD6050 | 0,0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1,1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 2.5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||
![]() | CDBU40 | 0,3200 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | Schottky | 0603/SOD-523f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | 125 ° C (max) | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | BAS16T116 | - - - | ![]() | 9143 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas16 | Standard | SSD3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-Bas16t116tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C. | 100 ma | 3.5PF @ 6v, 1 MHz | |||
UF302G_R2_00001 | 0,3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | UF302 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 3757-UF302G_R2_00001CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 75PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | RB461F-TP | 0,1482 | ![]() | 8410 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RB461 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | 353-RB461F-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 490 mv @ 700 mA | 200 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700 Ma | - - - | |||||||
![]() | ND171N12KHPSA1 | - - - | ![]() | 5166 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | ND171N12 | Standard | BG-PB34-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 20 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 135 ° C. | 171a | - - - | ||||||
![]() | BZX84B3V0W | 0,0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZX84B3V0WTR | Ear99 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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