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Einzeldioden (57622)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMEG045V050EPD139 | - - - |  | 1619 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | |||||||||||||||
 | PMEG10010ELR-QX | 0,4000 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | Schottky | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 770 mv @ 1 a | 3.7 ns | 150 na @ 100 v | 175 ° C. | 1a | 70pf @ 1v, 1 MHz | |||
 | CD2010-B160 | 0,1200 | | 4473 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Chip, Konkave -Terminals | CD2010 | Schottky | 2010 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 580 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 V | 125 ° C (max) | 1a | - - - | |||
| CGRA4001-HF | 0,0540 | | 1037 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | CGRA4001 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CGRA4001-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | 1T7G | 0,0585 | | 7183 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | T-18, axial | 1T7G | Standard | TS-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||
 | SE50PAG-M3/i | 0,5000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221BC, SMA Flat Leads Exponierte Pad | SE50 | Standard | DO-221BC (SMPA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,16 V @ 5 a | 2 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 32pf @ 4V, 1 MHz | ||
 | BYM13-40HE3/97 | - - - | | 1140 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | BYM13 | Schottky | GL41 (Do-213AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BYM13-40HE3_A/i | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | FR106T-G | 0,0420 | | 1750 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-FR106T-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||
| STTH30AC06SP | - - - | | 1313 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | ECOPACK® | Rohr | Veraltet | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | STTH30 | Standard | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,95 V @ 30 a | 60 ns | 20 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 30a | - - - | ||
 | Rfn3bm2stl | 0,4335 | | 8091 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RFN3BM2 | Standard | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 980 mv @ 3 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | 150 ° C. | 3a | - - - | ||
 | 30BQ015 | 0,1326 | | 5910 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 30bq | Schottky | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 15 v | 350 mV @ 3 a | 4 ma @ 15 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 1120pf @ 5v, 1 MHz | |||
 | MUR410GP-TP | 0,1994 | | 4240 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Mur410 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 4 a | 45 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||
| UF3003-HF | 0,1615 | | 1845 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | UF3003 | Standard | Do-27 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | MUR8L60 C0G | - - - | | 7537 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | Mur8l60 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 8 a | 65 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||
 | VI30100SGHM3/4W | - - - | | 8869 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | VI30100 | Schottky | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 30 a | 350 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | |||
 | Mura210t3g | 0,4400 | | 9541 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Mura210 | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 940 mv @ 2 a | 30 ns | 2 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||
 | Ss23She3_b/h | 0,4300 | | 3896 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS23 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 2 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 130pf @ 4v, 1 MHz | |||
 | NTS10120EMFST3G | - - - | | 1310 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTS10120 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 820 mv @ 10 a | 30 µA @ 120 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||
 | 1n5811aus/tr | 11.1000 | | 4309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard, Umgekehrte Polarität | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5811aus/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10v, 1 MHz | ||||
 | 1N6263W-7 | - - - | | 6452 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 1N6263 | Schottky | SOD-123 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 60 v | 1 V @ 15 mA | 1 ns | 200 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 15 Ma | 2.2pf @ 0v, 1 MHz | ||
 | SB550/54 | - - - | | 8925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | SB550 | Schottky | Do-201ad | - - - | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 650 mv @ 5 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||
 | BAT54J, 115 | 0,2900 | | 118 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Bat54 | Schottky | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||
 | 8eth03s | - - - | | 9349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 8eth03 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 8 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||
 | ES2BBF | 0,0450 | | 500 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-ES2BBFTR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||
| BAV19WSQ | 0,0230 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BAV19WSQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | 1N4934GHR1G | - - - | | 8859 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4934 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | SS3H10-M3/57T | 0,2373 | | 7727 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SS3H10 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 800 mV @ 3 a | 20 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||
 | RS07K-M-18 | 0,1485 | | 4747 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS07 | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 50.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 a | 300 ns | 2 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||
| 1N7039CCU1 | 193.1700 | | 4939 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1N7039 | Schottky | U1 (SMD-1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,6 V @ 35 a | 500 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - - - | ||||
 | SS2PH10HM3_A/H. | 0,4800 | | 89 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2PH10 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 800 mV @ 2 a | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 65PF @ 4V, 1 MHz |
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