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Einzeldioden (57622)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M100D-E3/54 | - - - |  | 9066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | M100 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 2 µs | 1 µA @ 200 V. | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||
 | SS32 R6 | - - - | | 6145 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SS32R6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||
 | B160AF-13 | 0,3500 | | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | B160 | Schottky | Smaf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 1 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||
 | D251K18BB01XPSA1 | - - - | | 6385 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Bolzenhalterung | BG-DSW27-1 | D251K | Standard | BG-DSW27-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000090533 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1800 v | 30 mA @ 1800 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 255a | - - - | |||
 | VS-3C12ET07S2L-M3 | 6.0600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VS-3C12 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 12 a | 0 ns | 65 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 535PF @ 1V, 1 MHz | |||
 | BAT43X-M0 RSG | - - - | | 3459 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Schottky | SOD-523F | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BAT43X-M0RSGTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 NA @ 25 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | ||
 | 1N5397GHB0G | - - - | | 7401 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5397 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||
 | 1N3492R | 1.6670 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | PRICE PASSFORM | Standard, Umgekehrte Polarität | PRICE PASSFORM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3492r | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,7 V @ 57 a | 1 ma @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - - - | |||
 | PMEG40T50EP, 115 | - - - | | 1259 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | STTH5L06B | - - - | | 8039 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STTH5L06 | Standard | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 5 a | 95 ns | 5 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 5a | - - - | ||
 | SSL26a | 0,0520 | | 500 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SSL26ATR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||
 | CDBC3200LR-HF | 0,2828 | | 9502 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | CDBC3200 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 850 mv @ 3 a | 500 µA @ 200 V. | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 250pf @ 4V, 1 MHz | ||||
 | BYV29-300-E3/45 | - - - | | 1416 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Byv29 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||
| MBR1030F-BP | 0,3123 | | 7161 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Isolierte RegisterKarte | MBR1030 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | 353-MBR1030F-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 10 a | 500 µa @ 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||
 | 242NQ030-1 | 38.0000 | | 333 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Halbpak | 242nq | Schottky | PRM1-1 (Halb-Pak-Modul) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1655-1318 | Ear99 | 8541.10.0080 | 27 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 510 mv @ 240 a | 20 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | - - - | 14800pf @ 5v, 1 MHz | ||
 | FR3M | 0,1889 | | 6271 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-FR3MTR | 8541.10.0000 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 3 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||
 | GL41K-E3/96 | 0,1246 | | 6166 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | GL41 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 1 a | 10 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||
 | SVT12120UB_R2_00001 | 0,7300 | | 10 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SVT12120 | Schottky | To-277b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-SVT12120UB_R2_00001TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 790 mv @ 12 a | 25 µa @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | ||
 | BAV316-TP | 0,3000 | | 6594 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BAV316 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 130 v | 1,1 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C (max) | 215 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||
| ES2JHE3-LTP | 0,0964 | | 2685 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es2j | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | 353-eS2JHE3-LTP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | 1SS119-04TJ-E | 0,1100 | | 8 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||
 | 1N5187 | 8.1000 | | 1526 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | 1N5187 | Standard | B, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,5 V @ 9 a | 200 ns | 2 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||
| JantX1N3645.TR | - - - | | 4860 | 0.00000000 | Semtech Corporation | Militär, Mil-PRF-19500/279 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Axial | 1N3645 | Standard | Axial | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2000 v | 5 V @ 250 mA | 2,5 µs | 1 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 600 mA | 8PF @ 5V, 1 MHz | |||||
 | GS1G-AU_R1_000A1 | - - - | | 6534 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | GS1 | Standard | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-GS1G-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4v, 1 MHz | ||
| SK5150A-LTP | 0,1213 | | 4791 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SK5150 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | 353-SK5150A-LTP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 5 a | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 100pf @ 4v, 1 MHz | |||||
| B120AF-13 | 0,3300 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | B120 | Schottky | Smaf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 100 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||
 | 1SS400LDTE61 | - - - | | 7529 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-1SS400LDTE61TR | Veraltet | 3.000 | ||||||||||||||||
| S1MSP1-7 | - - - | | 6889 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | S1m | Standard | PowerDi ™ 123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1,2 µs | 10 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||
 | VS-45EPS12L-M3 | 3.0500 | | 598 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | 45EPS12 | Standard | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,14 V @ 45 a | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 45a | - - - | |||
 | AFU3 | 0,2100 | | 2788 | 0.00000000 | Anstieg | Automobil, AEC-Q101 | Tasche | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Standard | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2616-AFU3 | 3a001 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 0,75PF @ 4V, 1 MHz |
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