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Einzeldioden (57622)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HFA180NH40 | - - - |  | 4915 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | D-67 Half-Pak | HFA180 | Standard | D-67 Half-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 60 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,35 V @ 180 a | 140 ns | 12 µa @ 400 V | 180a | - - - | |||
 | UF5405GP-TP | - - - | | 9960 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | UF5405 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 75 ns | 10 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||
 | MBR760-BP | 0,3753 | | 2711 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | MBR760 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 7,5 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | 400PF @ 4V, 1 MHz | ||||
 | STR8100LBF_R1_00701 | 0,5200 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221aa, SMB Flat Leads | STR8100 | Schottky | SMBF | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-STR8100LBF_R1_00701CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 790 mv @ 8 a | 50 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 425PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | NTE5846 | 6.9200 | | 64 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE5846 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 3 a | 10 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||
 | S5JC-K | 0,2203 | | 3393 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-S5JC-KTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 5 a | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 34PF @ 4V, 1 MHz | ||||
 | JantX1N6621U | 15.8250 | | 2497 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/585 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N6621 | Standard | D-5a | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 1,2 a | 30 ns | 500 NA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - - - | ||
 | GS1GE-TPS05 | - - - | | 9665 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | GS1G | Standard | Smae | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 353-GS1GE-TPS05TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | Byt53a-tap | 0,2673 | | 5834 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | SOD-57, axial | Byt53 | Lawine | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.9a | - - - | ||
 | 1N4247 | 1.5200 | | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | K. Loch | Axial | Standard | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-1n4247 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 1 a | 2 µs | 1 µa @ 600 V | - - - | 1a | - - - | ||||
 | HS2KFS | 0,4100 | | 6 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | HS2K | Standard | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 2 a | 75 ns | 1 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 12pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | MR1120R | 1.9500 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-MR1120R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 12 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 12a | - - - | |||
 | BD860S_L2_00001 | 0,3348 | | 7107 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | BD860 | Schottky | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 75.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mv @ 8 a | 50 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||
 | SBA220AL_R1_00001 | 0,3900 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | SBA220 | Schottky | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-SBA220AL_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 460 mv @ 2 a | 100 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||
 | FR605GP-AP | - - - | | 6569 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | FR605 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 6 a | 250 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 150pf @ 4V, 1 MHz | ||
 | ACDBMS260-HF | 0,3700 | | 2 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Schottky | SOD-123F | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 660 mv @ 2 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 95PF @ 4V, 1 MHz | |||||
 | STTH3002PI | - - - | | 6669 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | Dop3i-2 isolier (Gerade führt) | STTH3002 | Standard | Dop3i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 30 a | 50 ns | 20 µA @ 200 V. | 175 ° C (max) | 30a | - - - | ||
 | Jantxv1n5418/tr | 10.0200 | | 1887 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5418/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||
 | CD0603-S0180 | - - - | | 9776 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | CD0603 | Standard | 0603 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 80 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 100 ma | 4PF @ 1V, 100 MHz | ||
| UT3010 | 9.2550 | | 9937 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Axial | Standard | B | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UT3010 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 100 V. | -195 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||
 | RS5KP5M-13 | 0,2693 | | 4669 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Standard | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-RS5KP5M-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 5 a | 500 ns | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 65PF @ 4V, 1 MHz | |||
 | 1n3070ur | 9.0600 | | 6696 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3070ur | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 200 v | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 na @ 175 V | - - - | 100 ma | - - - | ||||
 | GS3BBQ | 0,0750 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-gs3bbqtr | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | By252p-e3/54 | 0,4700 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Bis 252 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 3 a | 3 µs | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||
| 1N6941utk3cs | 267.2850 | | 5675 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6941utk3cs | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 50 a | 5 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150a | 7500PF @ 5V, 1 MHz | |||||
 | R5001010xxwa | - - - | | 3390 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | R5001010 | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 7 µs | 30 mA @ 1000 v | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | |||||
| UTR4360 | 12.8400 | | 5008 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UTR4360 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 4 a | 400 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 160pf @ 0v, 1 MHz | ||||
 | FFSB2065BDN-F085 | 6.6300 | | 1111 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FFSB2065 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | D²pak-3 (to-263-3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,75 V @ 10 a | 0 ns | 40 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 23.6a | 421pf @ 1V, 100 kHz | ||
| SS32B | 0,0540 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SS32BTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | MPG06GHE3_A/53 | 0,1487 | | 5033 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Mpg06, axial | MPG06 | Standard | MPG06 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 600 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz |
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