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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5286 | 18.4950 | ![]() | 5790 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5286 | 475 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5286 | 1 | 100V | 330 µA | 1V | |||||
![]() | CDS5297-1 | - - - | ![]() | 1856 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDS52 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5297-1 | 50 | ||||||||||||||
![]() | 1N5299 | 18.6000 | ![]() | 2946 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5299 | 475 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5299 | 1 | 100V | 1,32 Ma | 1,45 v | |||||
![]() | CD5290V | 38.5050 | ![]() | 2895 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | CD529 | - - - | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5290V | 1 | 100V | 517 µA | 1,05 v | |||||
![]() | CDS5312ur-1 | - - - | ![]() | 9826 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDS53 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5312ur-1 | 50 | ||||||||||||||
![]() | CDS5298-1 | - - - | ![]() | 1179 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDS52 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5298-1 | 50 | ||||||||||||||
![]() | 1N5292 | 21.6600 | ![]() | 7059 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5292 | 475 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5292 | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V | |||||
![]() | CDS5314ur-1 | - - - | ![]() | 4985 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDS53 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5314ur-1 | 50 | ||||||||||||||
![]() | CD5292V | 38.5050 | ![]() | 2916 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | CD529 | - - - | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5292V | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V | |||||
![]() | 1N5294 | 18.6000 | ![]() | 7774 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5294 | 475 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5294 | 1 | 100V | 825 µA | 1,2 v | |||||
1N5309-1e3 | 18.7950 | ![]() | 7245 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5309 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5309-1e3 | 1 | 100V | 3.3 Ma | 2,25 v | ||||||
![]() | CDS5313ur-1 | - - - | ![]() | 4732 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDS53 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5313ur-1 | 50 | ||||||||||||||
![]() | CL20M45-AQ | 0,2219 | ![]() | 1316 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Batterieladegerät, LED -TRIBER | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | CL20 | 1W | SMB (Do-214AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 8541.10.0000 | 3.000 | 90V | 23 ma | 3v | |||
![]() | Jan1N5283ur-1 | - - - | ![]() | 2952 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5283 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242 µa | 1V | ||
![]() | JantX1N5285-1 | 33,3000 | ![]() | 9056 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5285 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297 µA | 1V | ||
![]() | Jantxv1n5285-1 | 36.4050 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5285 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297 µA | 1V | ||
![]() | JantX1N5285ur-1 | 38.2650 | ![]() | 2380 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5285 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297 µA | 1V | ||
![]() | Jan1N5286-1 | 31.5150 | ![]() | 8259 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5286 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330 µA | 1V | ||
![]() | Jan1N5286ur-1 | 36.6900 | ![]() | 9815 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5286 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330 µA | 1V | ||
![]() | JantX1N5286ur-1 | 38.2650 | ![]() | 5300 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5286 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330 µA | 1V | ||
![]() | Jantxv1n5286ur-1 | 40.2450 | ![]() | 4145 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5286 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330 µA | 1V | ||
![]() | JantXV1N5287-1 | 36.4050 | ![]() | 9587 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5287 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363 µA | 1V | ||
![]() | Jan1N5288-1 | 25.7400 | ![]() | 3662 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5288 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429 µA | 1,05 v | ||
![]() | JantX1N5288-1 | 30.6750 | ![]() | 4685 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5288 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429 µA | 1,05 v | ||
![]() | Jantxv1n5288-1 | 36.4050 | ![]() | 5468 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5288 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429 µA | 1,05 v | ||
![]() | Jan1N5288ur-1 | 36.6900 | ![]() | 8875 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5288 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429 µA | 1,05 v | ||
![]() | Jantxv1n5290ur-1 | - - - | ![]() | 1689 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5290 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1,05 v | ||
![]() | JantX1N5292ur-1 | 38.2650 | ![]() | 8541 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5292 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V | ||
![]() | JantXV1N5293-1 | 36.4050 | ![]() | 8805 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5293 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748 ähm | 1,15 V | ||
![]() | JantX1N5293ur-1 | 38.2650 | ![]() | 4026 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5293 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748 ähm | 1,15 V |
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