- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Kristalle, Oszillonen, Resonatoren (193603)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Bewertungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Frequenz | Ausgabe | SPANNUNG - Verrorane | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Fungion | Strom - Verrorane (max) | Basisresonator | Frequenzstabilität | Absolute Pull -Reichweiite (Apr) | SpektrumbandBreite Verbreiiten | Strom - Verorgung (DeAattivieren) (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT8208AI-GF-18E-2.000000Y | 3.8969 |  | 9345 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 24 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-GF-18E-24.576000T | 3.8969 | | 3485 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 24.576 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-GF-18E-2.000000X | 4.6880 | | 7768 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-GF-18E-28.636300X | 4.6880 | | 7085 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 28.6363 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-GF-18E-3.5700X | 4.6880 | | 3472 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 3,57 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-GF-18E-3.570000Y | 3.8969 | | 6961 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 3,57 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-GF-18E-30.000000Y | 3.8969 | | 3471 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 30 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-GF-18E-31.250000X | 4.6880 | | 3487 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 31,25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-GF-18E-32.768000T | 3.8969 | | 8849 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 32.768 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-GF-33E-6.000000T | 3.8969 | | 2386 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 6 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-33E-66.600000X | 4.6880 | | 9363 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 66,6 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-33E-66.666000Y | 3.8969 | | 6391 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 66.666 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-33E-66.666600Y | 3.8969 | | 7686 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 66.6666 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-33E-66.666660Y | 3.8969 | | 3873 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 66.66666 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-33E-7.372800T | 3.8969 | | 9630 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 7.3728 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-33E-74.175824X | 4.6880 | | 3068 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 74.175824 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-33E-74.176000T | 3.8969 | | 4618 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 74.176 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-33E-74.250000Y | 3.8969 | | 9698 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 74,25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-33S-140000X | 4.6880 | | 2289 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 12 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-18.432000X | 4.6880 | | 9585 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 18.432 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-32.768000T | 3.8969 | | 3533 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 32.768 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-33.000000Y | 3.8969 | | 7072 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-37.500000Y | 3.8969 | | 6546 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 37,5 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-40.000000T | 3.8969 | | 7463 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 40 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-40.000000X | 4.6880 | | 5530 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 40 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-48.000000T | 3.8969 | | 9300 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 48 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-50.000000Y | 3.8969 | | 8970 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 50 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-54.000000X | 4.6880 | | 1245 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 54 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-7.372800Y | 3.8969 | | 6385 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 7.3728 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-GF-33S-74.175824Y | 3.8969 | | 3073 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 74.175824 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)