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Kristalle, Oszillonen, Resonatoren (193603)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Bewertungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Frequenz | Ausgabe | SPANNUNG - Verrorane | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Fungion | Strom - Verrorane (max) | Basisresonator | Frequenzstabilität | Absolute Pull -Reichweiite (Apr) | SpektrumbandBreite Verbreiiten | Strom - Verorgung (DeAattivieren) (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT8208AI-GF-18S-32.768000Y | 3.8969 |  | 7880 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 32.768 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-GF-18S-4.096000T | 3.8969 | | 7472 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 4.096 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-GF-18S-40.000000T | 3.8969 | | 4613 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 40 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-GF-18S-50.000000Y | 3.8969 | | 5376 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 50 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-GF-18S-54.000000T | 3.8969 | | 1634 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 54 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-GF-18S-60.000000T | 3.8969 | | 4883 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 60 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-GF-18S-60.000000X | 4.6880 | | 4559 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 60 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-GF-18S-66.666660X | 4.6880 | | 7805 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 66.66666 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-GF-18S-75.000000Y | 3.8969 | | 3665 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 75 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-GF-25E-10.000000Y | 3.8969 | | 6805 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 10 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-2.288000Y | 3.8969 | | 9049 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 12.288 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-140000Y | 3.8969 | | 9639 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 14 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-16.000000X | 4.6880 | | 3099 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 16 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-16.368000X | 4.6880 | | 3505 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 16.368 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-16.369000Y | 3.8969 | | 1939 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 16.369 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-19.440000T | 3.8969 | | 8390 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 19,44 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-19.4400X | 4.6880 | | 2955 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 19,44 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-2.000000T | 3.8969 | | 4547 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-2.000000X | 4.6880 | | 5438 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-2.000000Y | 3.8969 | | 1127 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-28E-28.636300Y | 3.8969 | | 5914 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 28.6363 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-28E-33.000000Y | 3.8969 | | 2647 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-28E-33.333000Y | 3.8969 | | 2460 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33.333 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-28E-33.600000T | 3.8969 | | 8495 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33,6 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-28E-37.500000T | 3.8969 | | 8887 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 37,5 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-28E-4.000000Y | 3.8969 | | 3462 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 4 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-28E-4.096000Y | 3.8969 | | 5345 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 4.096 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-28E-50.000000T | 3.8969 | | 8226 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 50 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
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| SIT8208AI-GF-28E-66.660000X | 4.6880 | | 1789 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 66,66 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma |
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