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Kristalle, Oszillonen, Resonatoren (193603)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Bewertungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Frequenz | Ausgabe | SPANNUNG - Verrorane | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Fungion | Strom - Verrorane (max) | Basisresonator | Frequenzstabilität | Absolute Pull -Reichweiite (Apr) | SpektrumbandBreite Verbreiiten | Strom - Verorgung (DeAattivieren) (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT8208AI-3F-33S-74.250000Y | 4.1097 |  | 5041 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 74,25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
 | SIT8208AI-8F-18E-16.000000T | 4.1097 | | 1254 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 16 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-8F-18E-19.440000X | 4.8668 | | 1439 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 19,44 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-8F-18E-20.000000X | 4.8668 | | 5440 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 20 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-8F-18E-20.000000Y | 4.1097 | | 8886 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 20 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-8F-18E-2.000000Y | 4.1097 | | 5883 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 24 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
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| SIT8208AI-8F-18E-2.000000X | 4.8668 | | 1083 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-8F-18E-2.000625T | 4.1097 | | 8042 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 25.000625 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-8F-18E-30.000000X | 4.8668 | | 5267 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 30 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-8F-18E-32.768000T | 4.1097 | | 9614 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 32.768 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-8F-18E-32.768000X | 4.8668 | | 7392 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 32.768 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-8F-18E-33.300000T | 4.1097 | | 4311 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33,3 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
| SIT8208AI-8F-18E-35.840000Y | 4.1097 | | 7965 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 35,84 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
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| SIT8208AI-GF-25E-75.000000T | 3.8969 | | 2389 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 75 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-GF-25E-75.000000X | 4.6880 | | 2616 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,106 "LX 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 75 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
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