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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Bewertungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Frequenz | Ausgabe | SPANNUNG - Verrorane | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Fungion | Strom - Verrorane (max) | Basisresonator | Frequenzstabilität | Absolute Pull -Reichweiite (Apr) | SpektrumbandBreite Verbreiiten | Strom - Verorgung (DeAattivieren) (max) |
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![]() | SIT8208AI-3F-18E-31.250000X | 4.8668 | ![]() | 1815 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 31,25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18E-33.000000T | 4.1097 | ![]() | 7101 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18E-33.000000X | 4.8668 | ![]() | 2650 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18E-33.330000Y | 4.1097 | ![]() | 9798 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33,33 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18E-38.000000X | 4.8668 | ![]() | 1267 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 38 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18E-40.500000T | 4.1097 | ![]() | 9945 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 40,5 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18E-48.000000T | 4.1097 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 48 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18E-50.000000X | 4.8668 | ![]() | 5401 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 50 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18E-54.000000Y | 4.1097 | ![]() | 1690 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 54 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18E-6.000000Y | 4.1097 | ![]() | 6542 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 6 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18E-74.250000X | 4.8668 | ![]() | 7816 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 74,25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 30 ma | |
![]() | SIT8208AI-3F-18S-12.800000X | 4.8668 | ![]() | 9687 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 12,8 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
![]() | SIT8208AI-3F-18S-19.200000T | 4.1097 | ![]() | 7737 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 19,2 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
![]() | SIT8208AI-3F-18S-2.000000Y | 4.1097 | ![]() | 3712 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 24 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
![]() | SIT8208AI-3F-18S-28.636300Y | 4.1097 | ![]() | 2852 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 28.6363 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
![]() | SIT8208AI-3F-18S-3.570000X | 4.8668 | ![]() | 3605 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 3,57 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
![]() | SIT8208AI-3F-18S-3.570000Y | 4.1097 | ![]() | 9099 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 3,57 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
![]() | SIT8208AI-3F-18S-30.000000Y | 4.1097 | ![]() | 7408 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 30 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-33.000000T | 3.8969 | ![]() | 5889 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-33.300000Y | 3.8969 | ![]() | 1030 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33,3 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-33.333000T | 3.8969 | ![]() | 6838 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33.333 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-33.333330Y | 3.8969 | ![]() | 6328 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33.33333 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-38.400000X | 4.6880 | ![]() | 6848 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 38,4 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-4.096000T | 3.8969 | ![]() | 3612 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 4.096 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-50.000000Y | 3.8969 | ![]() | 1291 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 50 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-62.500000Y | 3.8969 | ![]() | 3840 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 62,5 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-66.660000Y | 3.8969 | ![]() | 8220 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 66,66 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-74.176000T | 3.8969 | ![]() | 1546 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 74.176 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25E-77.760000T | 3.8969 | ![]() | 7132 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 77,76 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
![]() | SIT8208AI-2F-25S-2.288000T | 3.8969 | ![]() | 3940 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 12.288 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,5 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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