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Kristalle, Oszillonen, Resonatoren (193603)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Bewertungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Frequenz | Ausgabe | SPANNUNG - Verrorane | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Fungion | Strom - Verrorane (max) | Basisresonator | Frequenzstabilität | Absolute Pull -Reichweiite (Apr) | SpektrumbandBreite Verbreiiten | Strom - Verorgung (DeAattivieren) (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT8208AI-3F-28E-140000Y | 4.1097 |  | 5220 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 14 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-3F-28E-16.368000X | 4.8668 | | 2220 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 16.368 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-3F-28E-33.333300Y | 4.1097 | | 9411 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33.3333 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-3F-28E-37.500000T | 4.1097 | | 5533 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 37,5 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-3F-28E-6.000000T | 4.1097 | | 3221 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 6 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-3F-28E-60.000000X | 4.8668 | | 5262 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 60 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-3F-28E-60.000000Y | 4.1097 | | 6957 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 60 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-3F-28E-66.600000T | 4.1097 | | 4884 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 66,6 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-3F-28E-75.000000T | 4.1097 | | 7449 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 75 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-3F-28E-8.192000X | 4.8668 | | 3519 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 8.192 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Aktivieren/Deaktivieren | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 31 ma | |
| SIT8208AI-3F-28S-122.288000Y | 4.1097 | | 9682 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 12.288 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-16.000000T | 4.1097 | | 7251 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 16 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-18.432000T | 4.1097 | | 7623 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 18.432 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-25.000625T | 4.1097 | | 3643 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 25.000625 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-3.570000X | 4.8668 | | 5700 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 3,57 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-30.000000Y | 4.1097 | | 3841 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 30 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-33.333000X | 4.8668 | | 7999 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33.333 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-33.333300X | 4.8668 | | 8900 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 33.3333 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-35.840000X | 4.8668 | | 6251 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 35,84 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-4.000000X | 4.8668 | | 1560 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 4 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-4.096000X | 4.8668 | | 7980 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 4.096 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
| SIT8208AI-3F-28S-54.000000X | 4.8668 | | 6080 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) | 0,031 "(0,80 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 54 MHz | LVCMOS, LVTTL | 2,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 33 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 70 ähm | |
 | SIT8208AI-8F-18S-20.000000T | 4.1097 | | 4213 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 20 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-8F-18S-24.576000T | 4.1097 | | 8010 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 24.576 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-8F-18S-2.000000Y | 4.1097 | | 1922 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 25 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-8F-18S-25.000625T | 4.1097 | | 6968 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 25.000625 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-8F-18S-38.400000Y | 4.1097 | | 1289 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 38,4 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-8F-18S-4.000000X | 4.8668 | | 5913 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 4 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-8F-18S-48.000000T | 4.1097 | | 9531 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 48 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA | |
| SIT8208AI-8F-18S-65.000000Y | 4.1097 | | 6586 | 0.00000000 | Siden | SIT8208 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | - - - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) | 0,039 "(1,00 mm) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Xo (Standard) | 65 MHz | LVCMOS, LVTTL | 1,8 v | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Standby (Power Down) | 31 ma | Mems | ± 10 ppm | - - - | - - - | 10 µA |
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