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Oszillatoren (193576)

Bild Produktnummer Preisgestaltung (USD) Menge ECAD Menge verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Bewertungen Größe / Dimension Höhe - sitzend (max) Montagetyp Paket / Fall Typ Grundproduktnummer Frequenz Ausgabe Spannung - Versorgung Datenblatt ROHS -Status Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) Status erreichen Eccn Htsus Standardpaket Funktion Strom - Versorgung (max) Basisresonator Frequenzstabilität Absolute Pull -Reichweite (APR) Spektrumbandbreite verbreiten Strom - Versorgung (Deaktivieren) (max)
SIT8208AI-G1-18S-14.000000T SiTime SIT8208AI-G1-18S-14000000T 1,8792
RFQ
 ECAD 7756 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 14 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 20ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G1-18S-16.369000T SiTime SIT8208AI-G1-18S-16.369000T 1,8792
RFQ
 ECAD 1636 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 16.369 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 20ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G1-18S-19.440000T SiTime SIT8208AI-G1-18S-19.440000T 1,8792
RFQ
 ECAD 4978 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 19,44 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 20ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G1-18S-24.576000T SiTime SIT8208AI-G1-18S-24.576000T 1,8792
RFQ
 ECAD 1216 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 24,576 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 20ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18E-77.760000T SiTime SIT8208AI-G2-18E-77.760000T 1,5215
RFQ
 ECAD 4613 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 77,76 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Aktivieren/Deaktivieren 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 30 mA
SIT8208AI-G2-18E-8.192000T SiTime SIT8208AI-G2-18E-8.192000T 1,5215
RFQ
 ECAD 8488 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 8.192 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Aktivieren/Deaktivieren 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 30 mA
SIT8208AI-G2-18E-8.192000Y SiTime SIT8208AI-G2-18E-8.192000Y 1.6342
RFQ
 ECAD 2602 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 8.192 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 1.000 Aktivieren/Deaktivieren 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 30 mA
SIT8208AI-G2-18S-10.000000Y SiTime SIT8208AI-G2-18S-10.000000Y 1.6342
RFQ
 ECAD 6645 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 10 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 1.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-12.000000X SiTime SIT8208AI-G2-18S-2.000000X 1,9722
RFQ
 ECAD 5281 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 12 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 250 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-12.800000X SiTime SIT8208AI-G2-18S-122.800000X 1,9722
RFQ
 ECAD 5254 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 12,8 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 250 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-16.368000T SiTime SIT8208AI-G2-18S-16.368000T 1,5215
RFQ
 ECAD 6875 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 16.368 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-16.368000Y SiTime SIT8208AI-G2-18S-16.368000Y 1.6342
RFQ
 ECAD 6458 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 16.368 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 1.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-18.432000T SiTime SIT8208AI-G2-18S-18.432000T 1,5215
RFQ
 ECAD 2240 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 18.432 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-19.440000X SiTime SIT8208AI-G2-18S-19.440000X 1,9722
RFQ
 ECAD 2910 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 19,44 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 250 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-25.000000X SiTime SIT8208AI-G2-18S-25.000000X 1,9722
RFQ
 ECAD 4853 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 25 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 250 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-25.000625Y SiTime SIT8208AI-G2-18S-25.000625Y 1.6342
RFQ
 ECAD 5115 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 25.000625 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 1.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-28.636300Y SiTime SIT8208AI-G2-18S-28.636300Y 1.6342
RFQ
 ECAD 1623 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 28.6363 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 1.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-3.570000Y SiTime SIT8208AI-G2-18S-3.570000Y 1.6342
RFQ
 ECAD 4260 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 3,57 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 1.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-31.250000T SiTime SIT8208AI-G2-18S-31.250000T 1,5215
RFQ
 ECAD 6547 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 31,25 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-31.250000Y SiTime SIT8208AI-G2-18S-31.250000Y 1.6342
RFQ
 ECAD 8641 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 31,25 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 1.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-32.768000T SiTime SIT8208AI-G2-18S-32.768000T 1,5215
RFQ
 ECAD 7702 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 32,768 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-32.768000X SiTime SIT8208AI-G2-18S-32.768000X 1,9722
RFQ
 ECAD 1512 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 32,768 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 250 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-32.768000Y SiTime SIT8208AI-G2-18S-32.768000Y 1.6342
RFQ
 ECAD 4714 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 32,768 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 1.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-33.300000T SiTime SIT8208AI-G2-18S-33.300000T 1,5215
RFQ
 ECAD 8468 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 33,3 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-33.333300T SiTime SIT8208AI-G2-18S-33.333300T 1,5215
RFQ
 ECAD 6869 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 33,3333 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-38.400000X SiTime SIT8208AI-G2-18S-38.400000X 1,9722
RFQ
 ECAD 2041 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 38,4 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 250 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-4.000000X SiTime SIT8208AI-G2-18S-4.000000X 1,9722
RFQ
 ECAD 3657 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 4 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 250 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-4.000000Y SiTime SIT8208AI-G2-18S-4.000000Y 1.6342
RFQ
 ECAD 7909 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 4 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 1.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-4.096000T SiTime SIT8208AI-G2-18S-4.096000T 1,5215
RFQ
 ECAD 7690 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 4,096 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 3.000 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
SIT8208AI-G2-18S-50.000000X SiTime SIT8208AI-G2-18S-50.000000X 1,9722
RFQ
 ECAD 3749 0,00000000 Sitzen SIT8208 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - 0,106 "l x 0,094" W (2,70 mm x 2,40 mm) 0,031 "(0,80 mm) Oberflächenhalterung 4-smd, keine Führung Xo (Standard) SIT8208 50 MHz LVCMOS, LVTTL 1,8 V herunterladen ROHS3 -konform 1 (unbegrenzt) Unberührt erreichen Ear99 8542.39.0001 250 Standby (Power Down) 31 mA Mems ± 25 ppm - - - - 10 µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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