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Transiente Spannungsunterdrucker (Fernseher) (134412)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Kapazität @ Frequenz | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | UnidireKionale Kanäle | Spannung - Umgekehrter Standoff (Typ) | Spannung - Aufschlüsselung (min) | Spannung - klemmung (max) @ ipp | Strom - Peakimpuls (10/1000 µs) | Leistung - Peakpuls | Stromleitungsschutz | BIDIREKTIONALE Kanäle |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MQ1N8155 | 30.4050 |  | 9037 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | A, axial | Zener | 1N8155 | - - - | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13,8 v | 20.2V | 7.42a | 150W | NEIN | |||
 | MV1N8148us | 36.2250 | | 1609 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Zener | 1N8148 | - - - | A, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | 150W | NEIN | |||
 | MV1N8178us | 36.2250 | | 5856 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Zener | 1N8178 | - - - | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 110V | 124 v | 183V | 820 Ma | 150W | NEIN | |||
 | MX1N8148 | 33.4500 | | 4414 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N8148 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
 | MXPLAD7.5KP45A | - - - | | 9981 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | Nicht Standardter SMD | Zener | Plad7.5 | - - - | Mini-Plad | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 45 V | 50V | 72.7v | 103a | 7500 W (7,5 kW) | NEIN | |||
| Php24 | 389.1750 | | 9816 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C. | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | Modul | Zener | - - - | Herbst-11 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 34 v | 40V | 67V | 112a | 7500 W (7,5 kW) | NEIN | 1 | |||||
 | Jan1n6048a | 62.1450 | | 2213 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/507 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | Do-13 | Zener | - - - | DO-13 (DO-202AA) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 20V | 22,8 v | 33.2v | 45a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | 1 | ||||
| MS1N8161 | 166.1250 | | 8885 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | A, axial | Zener | - - - | A, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 22V | 25,7 v | 37,4 v | 4.01a | 150W | NEIN | ||||
 | Mupt8e3 | 1.6500 | | 9222 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | Do-216aa | Zener | - - - | PowerMite 1 (DO216-AA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8v | 9V | 13,7 v | 10.9a | 1000 W (1 kW) | NEIN | ||||
| 1N8181us | 21.6301 | | 4819 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Zener | 1N8181 | - - - | A, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150 v | 171V | 261V | 570 Ma | 150W | NEIN | |||
 | Smpc78an-m3/i | 0,1980 | | 8199 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Transzorb® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Zener | SMPC78 | - - - | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | 1 | 78 v | 86,7 v | 126 v | 11.9a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | |||
| Jantxv1n6055a | 98.4306 | | 3022 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/507 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | Do-13 | Zener | - - - | DO-13 (DO-202AA) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 40V | 44,7 v | 64,8 v | 23.2a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | 1 | ||||
| Jantxv1n6060a | 98.4306 | | 2566 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/507 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | Do-13 | Zener | - - - | DO-13 (DO-202AA) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 64 v | 71.3v | 103V | 14.6a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | 1 | ||||
| JANS1N6148A | 115.2300 | | 1688 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/516 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | C, axial | Zener | - - - | C, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13,7 v | 17.1V | 25.1V | 59,8a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | 1 | ||||
| JANS1N6160 | 107.5602 | | 5820 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/516 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | C, axial | Zener | - - - | C, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42,6 v | 53,2 v | 77V | 19,5a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | 1 | ||||
| JANS1N6169 | 115.2300 | | 3099 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/516 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | C, axial | Zener | - - - | C, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 98,8 v | 123,5 v | 178.8v | 8.4a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | 1 | ||||
| JANS1N6169A | 115.2300 | | 4600 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/516 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | C, axial | Zener | - - - | C, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 98,8 v | 123,5 v | 178.8v | 8.4a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | 1 | ||||
| JANS1N6170 | 149.2650 | | 1190 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/516 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | C, axial | Zener | - - - | C, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 114V | 142,5 v | 206.3v | 7.3a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | 1 | ||||
 | P6smaj40Adf-13 | 0,1295 | | 8548 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Zener | P6smaj40 | - - - | D-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 40V | 44,4 v | 64,5 v | 9.3a | 600W | NEIN | ||
| P6smaj45Adf-13 | 0,1295 | | 9403 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Zener | P6smaj45 | - - - | D-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 45 V | 50V | 72.7v | 8.3a | 600W | NEIN | ||
| P6smaj54adf-13 | 0,1295 | | 9633 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Zener | P6smaj54 | - - - | D-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 54V | 60 v | 87.1v | 6.9a | 600W | NEIN | ||
| P6smaj6.0adf-13 | 0,1295 | | 6978 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Zener | P6smaj6.0 | - - - | D-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 6v | 6.67V | 10.3v | 58,3a | 600W | NEIN | ||
| P6smaj8.0adf-13 | 0,1295 | | 6027 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Zener | P6smaj8.0 | - - - | D-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 8v | 8.89v | 13,6 v | 44.1a | 600W | NEIN | ||
| P6smaj8.5adf-13 | 0,1295 | | 9699 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Zener | P6smaj8.5 | - - - | D-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 8,5 v | 9.44v | 14,4 v | 41,7a | 600W | NEIN | ||
 | D8V0L1B2LP3-7 | 0,3400 | | 18 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | Zener | D8V0 | 8.5PF @ 1MHz | X3-DFN0603-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 8v (max) | 8,5 v | 16,5 v | 4a (8/20 µs) | 66W | NEIN | 1 | ||
 | AOZ8809ADI-05 | 0,1134 | | 1472 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | Zener | AOZ8809 | 0,45PF @ 1MHz | 3-DFN (1,0 x 0,60) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 4 | 5 V (max) | - - - | 5v | 5a | - - - | NEIN | ||
 | SMCJ100A V7G | 2.1100 | | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Smcj | Klebeband (CT) Schneiden | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Telekommunikation | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Zener | SMCJ100 | - - - | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 1 | 100V | 111V | 162v | 9.7a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | ||
| Smcj26ca v7g | 1.8800 | | 643 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Smcj | Klebeband (CT) Schneiden | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Telekommunikation | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Zener | SMCJ26 | - - - | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 26v | 28,9 v | 42.1v | 37a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | 1 | ||
| Smcj14a v6g | - - - | | 8068 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Smcj | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Telekommunikation | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Zener | SMCJ14 | - - - | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 14V | 15,6 v | 23.2V | 67a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN | ||
| SMCJ60A V6G | - - - | | 7522 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Smcj | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Telekommunikation | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Zener | SMCJ60 | - - - | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 60 v | 66,7 v | 96,8 v | 16a | 1,5 kW (1500 W) | NEIN |
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