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Figstände (10280)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 752091472GPTR13 | 1.2166 |  | 1438 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,515 "LX 0,080" W (13.08 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 9-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 4,7K | Busse | 8 | - - - | - - - | 9 | 80 MW | |||
 | S42C083272FP | 0,0914 | | 2394 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083272FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 2,7K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | S41X083912FP | 0,0311 | | 9986 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083912FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 9.1k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
 | 768161822GP | 1.2132 | | 7463 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 8.2k | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | |||
 | S42C043510GP | 0,0600 | | 4667 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043510GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 51 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| S42C043182FP | 0,0693 | | 3292 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043182FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1,8K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| 752091102GP | 1.5389 | | 1581 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,515 "LX 0,080" W (13.08 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 9-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-752091102GP | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 1k | Busse | 8 | - - - | - - - | 9 | 80 MW | ||
 | S42C163271GP | 0,1813 | | 1074 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163271GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 270 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
| S41X083562GP | 0,0269 | | 6451 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083562GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 5.6k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
 | S41X043364GP | 0,0240 | | 1650 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043364GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 360k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| S42C083133GP | 0,0813 | | 9437 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083133GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 13k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| S42C163683JP | 0,1518 | | 7756 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163683JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 68k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
 | 743C043181JP | - - - | | 9267 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-743C043181JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | |||||||||||||||||||
| S41X043121GP | 0,0240 | | 1353 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043121GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 120 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| 768165121AP | 1.6432 | | 1217 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 180, 390 | Doppelterminator | 28 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | |||
| S41X083393JP | 0,0226 | | 1525 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083393JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 39k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
 | 766143681GPTR7 | 1.2910 | | 5456 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 680 | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 160 MW | |||
| S41X083822FP | 0,0311 | | 3518 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083822FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 8.2k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
| S41X043910GP | 0,0240 | | 9578 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043910GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 91 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| S41X083240FP | 0,0311 | | 4586 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083240FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 24 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
 | 753163102GP | 2.0285 | | 1498 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,245 "LX 0,080" W (6,22 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 16-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 1k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | |||
| S41X083560FP | 0,0311 | | 8738 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083560FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 56 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
| S42C083682JP | 0,0680 | | 7082 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083682JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 6,8K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| 742C083514JP | 0,2800 | | 4244 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 742C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 510K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 752103121GPTR13 | 1.2166 | | 1350 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,565 "LX 0,080" W (14,35 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 10-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 120 | Isolier | 5 | - - - | - - - | 10 | 160 MW | |||
 | 768143203GP | 1.2132 | | 6700 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 20k | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 200 MW | |||
 | S42X083362JP | 0,0412 | | 4325 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083362JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 3.6k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| RT2220B7 | - - - | | 6777 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 60-RT2220B7 | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 767161513GP | 1.2132 | | 7525 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 51k | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | |||
| S41C083513FP | 0,0653 | | 2693 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083513fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 51k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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