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Isolonen (2050)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen | Grad | Qualifikation |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP701F (ABB-TP, F) | - - - |  | 6890 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP701 | Optische Kopplung | Tuv, ur | 1 | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP701F (ABB-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | 600 mA | - - - | - - - | 5000 VRMs | 10kV/µs | 700 ns, 700 ns | - - - | 10 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||||||
| TLP250 (D4-mat, f) | - - - | | 5005 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP250 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP250 (D4-MATF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP631 (LF5, F) | - - - | | 2022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP631 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP631 (LF5F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP291 (e) | - - - | | 1657 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 175 | 50 ma | 4 µs, 7 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 400% @ 5ma | 7 µs, 7 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||||
 | TLP360J (D4-Cano) | - - - | | 8335 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP360 | CQC, Cul, UL, VDE | 1 | Triac | 4-DIP | - - - | 264-TLP360J (D4-Cano) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 1ma | NEIN | 500 V/µs (Typ) | 10 ma | 30 µs | |||||||||||||||||||||||
| TLP734 (D4GRHT5, M, F. | - - - | | 2332 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP734 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP734 (D4GRHT5MF | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9121A (MBHAGBTLF | - - - | | 1213 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLP9121A (MBHAGBTLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP700A (D4-TP, s) | - - - | | 8064 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP700 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP700A (D4-TPS) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5705H (e | 1.9300 | | 2268 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 15 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP5705H (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | - - - | 37ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 50 kV/µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||||||||
 | TLP185 (Bll-tr, se | 0,6000 | | 7102 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||||
 | TLP5772 (D4, e | 2.4500 | | 4839 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5772 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 10 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP5772 (D4E | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | - - - | 15ns, 8ns | 1,65 v | 8ma | 5000 VRMs | 1/0 | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | ||||||||||||||||||||||
| TLP626 (Fanuc, f) | - - - | | 7970 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP626 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 264-TLP626 (Fanucf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 8 µs, 8 µs | 55 v | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 1ma | 1200% @ 1ma | 10 µs, 8 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP266J (v4t7tr, e | 0,9300 | | 2986 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tlp | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP266 | 1 | Triac | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 600 um (Typ) | Ja | 200 V/µs | 10 ma | 30 µs | |||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4BLL-F7, f | - - - | | 3316 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4BLL-F7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
 | Tlx9906 (tpl, f | 4.0500 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLX9906 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - - - | - - - | 7v | 1,65 v | 30 ma | 3750 VRMs | - - - | - - - | 200 US, 200 µs | - - - | Automobil | AEC-Q101 | |||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4-Y, F) | - - - | | 4224 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4-YF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
| Tlp785f (Bll-t7, f | - - - | | 7721 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (Bll-t7ftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
| TLP785F (D4-BLL, f | - - - | | 7615 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4-BLLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
| TLP630 (TA, F) | - - - | | 4822 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP630 | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 264-TLP630 (TAF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP183 (e | 0,5100 | | 103 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||||
| TLP250 (LF4, F) | - - - | | 5250 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP250 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP250 (LF4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP523 (TP1, F) | - - - | | 5051 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP523 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP523 (TP1F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP183 (tpl, e | 0,5100 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||||
 | TLP3073 (TP1, f | 2.0100 | | 2537 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leads), Möwenflügel | TLP3073 | CQC, cur, ur | 1 | Triac | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | 1 Ma (Typ) | NEIN | 2kV/µs (Typ) | 5ma | - - - | ||||||||||||||||||||||
| TLP250 (D4, F) | - - - | | 2010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP250 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP250 (D4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP620-2 (gr, f) | - - - | | 6523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP620-2 (GRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP352 (TP5, s) | - - - | | 7256 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP352 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP352 (TP5S) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP701AF (D4-TP, F) | - - - | | 6402 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP701 | Optische Kopplung | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP701AF (D4-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 600 mA, 600 mA | 600 mA | 50ns, 50 ns | 1,57 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20 kV/µs | 500 ns, 500 ns | 350ns | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||||
 | TLP292-4 (V4-GB, e | 1.7900 | | 6099 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||||
 | TLP3902 (TPL, U, F) | 1.0712 | | 2518 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP3902 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-mfsop, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | TLP3902 (TPLUF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 5 ähm | - - - | 7v | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | - - - | - - - | 600 µs, 2 ms | - - - |
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