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Diskette HalblerProdukte (41164)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Hold (ih) (max) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ RAUSCHFIGUR Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
BZV55C51 Microchip Technology BZV55C51 2.9400
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 ECAD 2240 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) BZV55C51 Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 50 NA @ 35.7 V. 51 v
JANTX2N2323A Microchip Technology JantX2N2323a - - -
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 ECAD 1534 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/276 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 125 ° C. K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.30.0080 1 2 Ma 50 v 600 mv 15a @ 60Hz 20 µA 10 µA Standardwiederherherster
APT6021BFLLG Microchip Technology APT6021Bfllg 18.7000
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 ECAD 6604 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 APT6021 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 29a (TC) 210mohm @ 14.5a, 10V 5v @ 1ma 80 nc @ 10 v 3470 PF @ 25 V. - - -
DC35GN-15-Q4 Microchip Technology DC35GN-15-Q4 - - -
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 ECAD 1672 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 125 v Oberflächenhalterung 24-tfqfn exponiert pad - - - Hemt 24-QFN (4x4) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 150-DC35GN-15-Q4 Ear99 8541.29.0095 10 - - - 40 ma 19W 18.6db - - - 50 v
1N5918CE3/TR13 Microchip Technology 1n5918ce3/tr13 1.3350
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 ECAD 2920 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N5918 1,5 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 2 V. 5.1 v 4 Ohm
SMAJ4746AE3/TR13 Microchip Technology SMAJ4746AE3/TR13 0,6450
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 ECAD 3708 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SMAJ4746 2 w Do-214AC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 13,7 V 18 v 20 Ohm
1N5254B-1/TR Microchip Technology 1N5254B-1/Tr 4.4100
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 ECAD 7834 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n5254b-1/tr Ear99 8541.10.0050 214 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 27 v 41 Ohm
JANTXV1N4372DUR-1 Microchip Technology JantXV1N4372DUR-1 - - -
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 ECAD 1477 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 30 µa @ 1 V 3 v 29 Ohm
JANTXV1N748C-1/TR Microchip Technology Jantxv1N748C-1/Tr 10.2410
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 ECAD 5269 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/127 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1N748C-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 2 µa @ 1 V 3,9 v 23 Ohm
UFT3260A Microchip Technology UFT3260A 94.8750
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 ECAD 2608 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-204aa, to-3 Standard To-204aa (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-UFT3260A Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 600 V 30a 1,2 V @ 15 a 60 ns 15 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C.
JANTX1N4133D-1 Microchip Technology JantX1N4133D-1 16.9800
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 ECAD 6718 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N4133 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 Na @ 66,2 V. 87 v 1000 Ohm
JAN1N6338 Microchip Technology Jan1N6338 9.9000
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 ECAD 3526 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N6338 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 30 v 39 v 55 Ohm
SMBJ5946BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5946BE3/TR13 0,8850
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 ECAD 4228 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5946 2 w Smbj (do-214aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 56 V 75 V 140 Ohm
JANTX1N5542D-1/TR Microchip Technology JantX1N5542D-1/Tr 21.0007
RFQ
 ECAD 4036 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1N5542D-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 21.6 v 24 v 100 Ohm
JANTX1N3823C-1/TR Microchip Technology JantX1N3823C-1/Tr 19.6175
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JantX1N3823C-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 25 µa @ 1 V 3,9 v 9 Ohm
JANTX1N4129CUR-1 Microchip Technology JantX1N4129CUR-1 24.3150
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N4129 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 47.1 V. 62 v 500 Ohm
2C3762 Microchip Technology 2C3762 8.4600
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 ECAD 3657 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C3762 1
JANTXV1N3021D-1 Microchip Technology JantXV1N3021D-1 38.0400
RFQ
 ECAD 3182 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Schüttgut Aktiv ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N3021 1 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 8,4 V 11 v 8 Ohm
CDLL4757A/TR Microchip Technology CDLL4757A/Tr 3.2319
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 ECAD 7827 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll4757a/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 100 NA @ 38,8 V. 51 v 95 Ohm
2N5677 Microchip Technology 2N5677 519.0900
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 ECAD 1898 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 87,5 w To-61 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5677 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 5 a - - - PNP - - - - - - - - -
JANTX1N4470CUS/TR Microchip Technology JantX1N4470CUS/Tr 28.3050
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 ECAD 1340 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/406 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, a 1,5 w D-5a - - - 150-Jantx1n4470Cus/Tr Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 a 50 NA @ 12,8 V. 16 v 10 Ohm
1N747AUR-1 Microchip Technology 1N747AUR-1 3.0300
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 ECAD 5110 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N747 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 3 µa @ 1 V 3.6 V 22 Ohm
JANTX1N7053UR-1 Microchip Technology JantX1N7053ur-1 10.8150
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 ECAD 3006 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1
CDLL5267D Microchip Technology CDLL5267D 8.4150
RFQ
 ECAD 4848 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa 10 MW Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-cdll5267d Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 56 v 75 V 270 Ohm
JANTXV1N4131CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4131cur-1/Tr 25.6690
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n4131cur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 Na @ 57 V 75 V 700 Ohm
MSCSM120AM31CTBL1NG Microchip Technology MSCSM120AM31CTBL1NG 166.2400
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 ECAD 1220 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM120 Silziumkarbid (sic) 310W - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM120AM31CTBL1NG Ear99 8541.29.0095 1 2 n -kanal (Phasenbein) 1200V 79a 31mohm @ 40a, 20V 2,8 V @ 1ma 232nc @ 20V 3020pf @ 1000v - - -
VN10KN3-G Microchip Technology VN10KN3-G 0,6000
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 ECAD 5338 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) VN10KN3 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 310 Ma (TJ) 5v, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 1ma ± 30 v 60 PF @ 25 V - - - 1W (TC)
JAN1N4618DUR-1 Microchip Technology Jan1N4618DUR-1 20.9700
RFQ
 ECAD 6011 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N4618 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 na @ 1 v 2,7 v 1500 Ohm
1N983B/TR Microchip Technology 1n983b/tr 2.0083
RFQ
 ECAD 7459 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 500 MW Do-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n983b/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 5 µA @ 62,2 V. 82 v 330 Ohm
CD4106 Microchip Technology CD4106 1.3699
RFQ
 ECAD 8637 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Sterben 500 MW Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-CD4106 Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 50 NA @ 9.12 V. 12 v 200 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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