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Transistoren (3825)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
Fqpf27p06	- - -	RFQ	9363	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal		60 v	17a (TC)		70 MOHM @ 8.5A, 10V	4v @ 250 ähm	43 NC @ 10 V	± 25 V	1400 PF @ 25 V.	- - -	47W (TC)
FDP75N08A	- - -	RFQ	9431	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		75 V	75a (TC)	10V	11mohm @ 37,5a, 10V	4v @ 250 ähm	104 NC @ 10 V	± 20 V	4468 PF @ 25 V.	- - -	137W (TC)
RFP45N06_NL	- - -	RFQ	4001	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		60 v	45a (TC)	10V	28mohm @ 45a, 10V	4v @ 250 ähm	150 NC @ 20 V	± 20 V	2050 PF @ 25 V.	- - -	131W (TC)
FDC604p	1.0000	RFQ	3775	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6			MOSFET (Metalloxid)			Supersot ™ -6	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal		20 v	5.5a (TA)	1,8 V, 4,5 V.	33mohm @ 5,5a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	30 NC @ 4,5 V.	± 8 v	1926 PF @ 10 V.	- - -	1.6W (TA)
D44C8	1.0000	RFQ	8509	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	D44C			60 w		To-220-3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1															60 v	4 a						10 µA		Npn	500mv @ 50 Ma, 1a	20 @ 2a, 1V	40 MHz
TIP116TU	- - -	RFQ	7356	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				2 w		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000															80 v	2 a						2ma		PNP - Darlington	2,5 V @ 8ma, 2a	1000 @ 1a, 4V	- - -
BC847A	0,0800	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				250 MW		SOT-23-3 (to-236)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	3.000															45 V	100 ma						15NA (ICBO)		Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
SS9014CBU	0,0300	RFQ	108	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				450 MW		To-92-3	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-SSS9014CBU-600039			1															45 V	100 ma						500NA (ICBO)		Npn	300 mV @ 5ma, 100 mA	200 @ 1ma, 5V	270 MHz
FQP3N90	0,5900	RFQ	22	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		900 V	3.6a (TC)	10V	4,25OHM @ 1,8a, 10V	5 V @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 30 v	910 PF @ 25 V.	- - -	130W (TC)
FDU6680	0,6000	RFQ	82	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.800		N-Kanal		30 v	12a (ta), 46a (TC)	4,5 V, 10 V.	10mohm @ 12a, 10V	3v @ 250 ähm	18 NC @ 5 V.	± 20 V	1230 PF @ 15 V	- - -	3,3 W (TA), 56 W (TC)
SGR15N40LTF	- - -	RFQ	2207	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	SGR15	Standard		45 w		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.000			- - -											Graben	400 V		130 a	8v @ 4,5 V, 130a	- - -		- - -
FQAF27N25	1.2500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-3Pf	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		250 V	19A (TC)	10V	110MOHM @ 9.5A, 10V	5 V @ 250 ähm	65 NC @ 10 V	± 30 v	2450 PF @ 25 V.	- - -	95W (TC)
FQD2N90TF	0,5500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.000		N-Kanal		900 V	1.7a (TC)	10V	7.2OHM @ 850 mA, 10V	5 V @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 30 v	500 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 50 W (TC)
IRLI610ATU	0,1600	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		200 v	3.3a (TC)	5v	1,5OHM @ 1,65A, 5V	2v @ 250 ähm	9 NC @ 5 V	± 20 V	240 PF @ 25 V.	- - -	3.1W (TA), 33W (TC)
IRLR210ATM	0,5200	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		200 v	2.7a (TC)	5v	1,5OHM @ 1,35A, 5V	2v @ 250 ähm	9 NC @ 5 V	± 20 V	240 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 21W (TC)
BCX20	0,0300	RFQ	6279	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				310 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	9.000															25 v	800 mA						100NA (ICBO)		Npn	620 MV @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 100 mA, 1V	- - -
FDG361N	0,4100	RFQ	99	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			MOSFET (Metalloxid)			SC-88 (SC-70-6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal		100 v	600 mA (TA)	6 V, 10V	500MOHM @ 600 mA, 10V	4v @ 250 ähm	5 NC @ 10 V	± 20 V	153 PF @ 50 V	- - -	420 MW (TA)
IRF654BFP001	0,9200	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		250 V	21a (TC)	10V	140 MOHM @ 10,5a, 10V	4v @ 250 ähm	123 NC @ 10 V	± 30 v	3400 PF @ 25 V.	- - -	156W (TC)
FMG2G200US60	30.6500	RFQ	8206	Fairchild Semiconductor	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	19 Uhr ha				695 w	Standard	19 Uhr ha	- - -	ROHS3 -KONFORM			2156-FMG2G200US60-FS	Ear99	8541.29.0095	10	Halbbrücke													- - -	600 V	200 a		2,7 V @ 15V, 200a				250 µA	NEIN
NDB6030L	1.7200	RFQ	580	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			To-263ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		30 v	52a (TC)	4,5 V, 10 V.	13,5 MOHM @ 26A, 10V	3v @ 250 ähm	60 nc @ 10 v	± 16 v	1350 PF @ 15 V	- - -	75W (TC)
KSA708CYTA	1.0000	RFQ	9799	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				800 MW		To-92-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1															60 v	700 Ma						100NA (ICBO)		PNP	700 mv @ 50 mA, 500 mA	120 @ 500 mA, 2V	50 MHz
FCH150N65F-F155	- - -	RFQ	7901	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	FCH150		MOSFET (Metalloxid)			To-247 Lange Hinese	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		650 V	24a (TC)	10V	150 MOHM @ 12A, 10V	5v @ 2,4 mA	94 NC @ 10 V	± 20 V	3737 PF @ 100 V	- - -	298W (TC)
HUF75639S3	- - -	RFQ	3715	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-HUF75639S3-600039			1		N-Kanal		100 v	56a (TC)	10V	25mohm @ 56a, 10V	4v @ 250 ähm	130 NC @ 20 V	± 20 V	2000 PF @ 25 V.	- - -	200W (TC)
FDM2452NZ	- - -	RFQ	3835	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-WFDFN exponiert Pad	FDM2452		MOSFET (Metalloxid)	800 MW (TA)		6-mlp (2x5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	196	2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss			30V	8.1a (ta)		21mohm @ 8.1a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	19NC @ 4,5V		980PF @ 15V	- - -
FGA50S110P	1.5400	RFQ	45	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		Standard		300 w		To-3pn	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			- - -											TRABENFELD STOPP	1100 v	50 a	120 a	2,6 V @ 15V, 50A	- - -	195 NC	- - -
Fjv3101rlimtf	0,0200	RFQ	192	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	3.000
FCU4300N80Z	0,6000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		800 V	1,6a (TC)	10V	4.3OHM @ 800 mA, 10 V.	4,5 V @ 160 ähm	8.8 NC @ 10 V	± 20 V	355 PF @ 100 V	- - -	27,8W (TC)
FDP5690	1.4100	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal		60 v	32a (TC)	6 V, 10V	27mohm @ 16a, 10V	4v @ 250 ähm	33 NC @ 10 V.	± 20 V	1120 PF @ 25 V.	- - -	58W (TC)
FQI5N15TU	0,4100	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		150 v	5.4a (TC)	10V	800 MOHM @ 2,7A, 10V	4v @ 250 ähm	7 NC @ 10 V	± 25 V	230 PF @ 25 V.	- - -	3,75W (TA), 54W (TC)
FDA2712	9.5400	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Metalloxid)			To-3pn	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		250 V	64a (TC)	10V	34mohm @ 40a, 10V	5 V @ 250 ähm	129 NC @ 10 V	± 30 v	10175 PF @ 25 V.	- - -	357W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3825)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²