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Transistoren (427)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Transistortyp | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD17551q3a | 0,7600 |  | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD17551 | MOSFET (Metalloxid) | 8-son (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 11a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 7,8 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1370 PF @ 15 V | - - - | 2.6W (TA) | ||||||||||
 | CSD17505Q5A | 1.7400 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17505 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 24A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 20A, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1980 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA) | ||||||||||
 | CSD13381F4 | 0,4400 | | 503 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD13381 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 2.1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 180 MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 1,4 NC @ 4,5 V. | 8v | 200 PF @ 6 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||
| CSD25481F4T | 0,8900 | | 15 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD25481 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 88mohm @ 500 mA, 8v | 1,2 V @ 250 ähm | 0,91 NC @ 4,5 V. | -12V | 189 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||
 | Tpic5302d | 1.2000 | | 969 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | CSD16327Q3T | 1.3500 | | 5 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16327 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSON-Clip (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 3v, 8v | 4mohm @ 24a, 8v | 1,4 V @ 250 ähm | 8,4 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 1300 PF @ 12.5 V. | - - - | 74W (TC) | ||||||||||
| CSD17506Q5A | 1.6900 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17506 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 11 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1650 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA) | ||||||||||
 | CSD19538q3at | 1.8700 | | 4221 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD19538 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 100 v | 15a (ta) | 6 V, 10V | 59mohm @ 5a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 4,3 nc @ 10 v | ± 20 V | 454 PF @ 50 V | - - - | 2,8 W (TA), 23 W (TC) | ||||||||||
| CSD17510Q5A | 1.2100 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17510 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 20A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.2mohm @ 20a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 8,3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1250 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | ||||||||||
 | LM3046M/NOPB | - - - | | 6076 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | LM3046 | 750 MW | 14-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 55 | - - - | 15 v | 50 ma | 5 npn | 40 @ 1ma, 3v | - - - | 3.25db @ 1kHz | ||||||||||||||
 | TPS1120DR | 2.1000 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TPS1120 | MOSFET (Metalloxid) | 840 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 15 v | 1.17a | 180 MOHM @ 1,5A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 5.45nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||||
 | CSD87312Q3E | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD87312Q3 | MOSFET (Metalloxid) | 2.5W | 8-VSON (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 30V | 27a | 33mohm @ 7a, 8v | 1,3 V @ 250 ähm | 8.2nc @ 4,5V | 1250pf @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||
 | CSD18511KTT | 1.6400 | | 490 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | CSD18511 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 40 v | 194a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,6 MOHM @ 100A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 5940 PF @ 20 V | - - - | 188W (TA) | ||||||||||
 | CSD75208W1015 | 0,5600 | | 11 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, DSBGA | CSD75208 | MOSFET (Metalloxid) | 750 MW | 6-dsbga (1x1.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 20V | 1.6a | 68mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 2,5nc @ 4,5 V | 410pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||
 | CSD87588n | 1.3900 | | 14 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-xflga | CSD87588 | MOSFET (Metalloxid) | 6W | 5-ptab (3x2,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 25a | 9,6 MOHM @ 15a, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | 4.1nc @ 4.5V | 736PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||
 | CSD25485F5T | 0,9800 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD25485 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | P-Kanal | 20 v | 5.3a (ta) | 1,8 V, 8 V. | 35mohm @ 900 mA, 8v | 1,3 V @ 250 ähm | 3,5 NC @ 4,5 V. | -12V | 533 PF @ 10 V | - - - | 1.4W (TA) | ||||||||||
 | CSD18536KTTT | 5.8200 | | 7727 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa | CSD18536 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 200a (TA), 349a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 100A, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 11430 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | ||||||||||
 | CSD15380F3 | 0,4500 | | 64 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD15380 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 500 mA (TA) | 2,8 V, 8 V. | 1190MOHM @ 100 Ma, 8V | 1,35 V @ 2,5 µA | 0,281 NC @ 10 V | 10V | 10.5 PF @ 10 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||
| CSD17556Q5B | 2.5000 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17556 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 34a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,4mohm @ 40a, 10V | 1,65 V @ 250 ähm | 39 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 7020 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 191W (TC) | ||||||||||
| CSD18502Q5BT | 2.7900 | | 341 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18502 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 40 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 30a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 33 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5070 PF @ 20 V | - - - | 3,2 W (TA), 156W (TC) | ||||||||||
 | CSD85301Q2 | 0,6700 | | 19 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | CSD85301 | MOSFET (Metalloxid) | 2.3W | 6-Wson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 5a | 27mohm @ 5a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 5.4nc @ 4.5V | 469PF @ 10V | Logikpegel -Tor, 5 V Auftwerk | ||||||||||||
| TPS1100D | 1.8100 | | 369 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TPS1100 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 75 | P-Kanal | 15 v | 1,6a (ta) | 2,7 V, 10 V. | 180 MOHM @ 1,5A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 5.45 NC @ 10 V | +2 V, -15v | - - - | 791 MW (TA) | |||||||||||
 | CSD16322Q5C | 1.4500 | | 149 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD1632 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sson | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 21a (ta), 97a (TC) | 3v, 8v | 5mohm @ 20a, 8v | 1,4 V @ 250 ähm | 9,7 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 1365 PF @ 12.5 V. | - - - | 3.1W (TA) | ||||||||||
| CSD88539nd | 0,9100 | | 7 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | CSD88539 | MOSFET (Metalloxid) | 2.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 15a | 28mohm @ 5a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 9.4nc @ 10v | 741pf @ 30v | - - - | ||||||||||||
| CSD18542KTT | 2.6600 | | 153 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa | CSD18542 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 200a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 100a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | 5070 PF @ 30 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||||
| CSD13303W1015 | 0,5500 | | 56 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, DSBGA | CSD13303 | MOSFET (Metalloxid) | 6-dsbga (1x1.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 31a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 20mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 4,7 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 715 PF @ 6 V | - - - | 1,65W (TA) | ||||||||||
| CSD23280F3T | 0,9400 | | 15 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD23280 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | P-Kanal | 12 v | 1,8a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 116mohm @ 400 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,23 NC @ 4,5 V. | -6v | 234 PF @ 6 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||
 | CSD87588NT | 1.6600 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-lga | CSD87588 | MOSFET (Metalloxid) | 6W | 5-ptab (5x3,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 25a | 9,6 MOHM @ 15a, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | 4.1nc @ 4.5V | 736PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||
| CSD19534Q5at | 1.2600 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD19534 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 100 v | 44a (TC) | 6 V, 10V | 15.1mohm @ 10a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1680 PF @ 50 V | - - - | 3,2 W (TA), 63W (TC) | ||||||||||
| CSD25484F4T | 0,9100 | | 16 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD25484 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 1,8 V, 8 V. | 94mohm @ 500 mA, 8v | 1,2 V @ 250 ähm | 1,42 NC @ 4,5 V. | -12V | 230 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) |
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