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Transistoren (427)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD17552Q5A | 1.0900 |  | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17552 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 17A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,2 Mohm @ 15a, 10 V | 1,9 V @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2050 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | |||||||||||
 | CSD87355q5d | 2.6600 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | CSD87355Q5 | MOSFET (Metalloxid) | 12W | 8-lson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | - - - | - - - | 1,9 V @ 250 ähm | 13.7nc @ 4,5V | 1860pf @ 15V | - - - | |||||||||||||
 | CSD87330Q3DT | - - - | | 6172 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | CSD87330 | MOSFET (Metalloxid) | 6W (TA) | 8-lson (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 296-CSD87330q3dt | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 20a (ta) | 9.45 MOHM @ 15A, 5V, 3,6 MOHM @ 15A, 5V | 2,1 V @ 250 UA, 1,15 V @ 250 µA | 5,8nc @ 4,5V, 11,5nc @ 4,5 V | 900pf @ 15V, 1632pf @ 15V | Standard | |||||||||||||
 | CSD19503KCS | 1.7300 | | 1377 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD19503 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 80 v | 100a (ta) | 6 V, 10V | 9,2mohm @ 60a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 2730 PF @ 40 V | - - - | 188W (TC) | |||||||||||
| CSD19534KCS | 1.5900 | | 545 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD19534 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 100a (ta) | 6 V, 10V | 16,5 MOHM @ 30a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 22.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 1670 PF @ 50 V | - - - | 118W (TC) | |||||||||||
 | CSD17483F4T | 0,9400 | | 9 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD17483 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | N-Kanal | 30 v | 1,5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 240 MOHM @ 500 mA, 8V | 1,1 V @ 250 ähm | 1,3 NC @ 4,5 V. | 12V | 190 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||
| CSD25483F4 | 0,4300 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD25483 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 205mohm @ 500 mA, 8V | 1,2 V @ 250 ähm | 0,959 NC @ 4,5 V. | -12V | 198 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||
 | CSD16406Q3 | 1.1700 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16406 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSON-Clip (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 19A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.3mohm @ 20a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 8.1 NC @ 4,5 V. | +16 V, -12v | 1100 PF @ 12.5 V. | - - - | 2.7W (TA) | |||||||||||
 | CSD25301W1015 | - - - | | 7649 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, DSBGA | CSD2530 | MOSFET (Metalloxid) | 6-dsbga (1x1.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.2a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 75mohm @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 2,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 270 PF @ 10 V. | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||
 | CSD19538Q2 | 0,5600 | | 3329 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | CSD19538 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Wson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 14,4a (TA) | 6 V, 10V | 59mohm @ 5a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 5.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 454 PF @ 50 V | - - - | 2,5 W (TA), 20,2W (TC) | |||||||||||
| CSD18540Q5B | 2.6700 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18540 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 Mohm @ 28a, 10 V | 2,3 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 4230 PF @ 30 V | - - - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||
 | ULN2803ADWRG4 | - - - | | 4620 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 18-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | ULN2803 | - - - | 18-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 50V | 500 mA | - - - | 8 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | - - - | - - - | |||||||||||||||
 | Tps1101pwr | 0,9823 | | 9062 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-tssop (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TPS1101 | MOSFET (Metalloxid) | 16-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 15 v | 2.18a (TA) | 2,7 V, 10 V. | 90 MOHM @ 2,5A, 10 V | 1,5 V @ 250 ähm | 11.25 NC @ 10 V | +2 V, -15v | - - - | 710 MW (TA) | ||||||||||||
 | CSD22204W | 0,6500 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22204 | MOSFET (Metalloxid) | 9-dsbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 9,9 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 24,6 NC @ 4,5 V. | -6v | 1130 PF @ 4 V. | - - - | 1.7W (TA) | |||||||||||
| CSD17305Q5A | 0,6663 | | 4357 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17305 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 29a (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 3.4mohm @ 30a, 8v | 1,6 V @ 250 ähm | 18,3 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 2600 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA) | |||||||||||
| CSD16412Q5A | 0,9500 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16412 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 14A (TA), 52A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 3,8 NC @ 4,5 V. | +16 V, -12v | 530 PF @ 12,5 V. | - - - | 3W (TA) | |||||||||||
| CSD16408Q5 | 0,6424 | | 9150 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16408 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 22A (TA), 113a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 25a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 8,9 NC @ 4,5 V. | +16 V, -12v | 1300 PF @ 12.5 V. | - - - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | CSD87381pt | 1.1100 | | 26 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-lga | CSD87381 | MOSFET (Metalloxid) | 4W | 5-ptab (3x2,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 15a | 16.3mohm @ 8a, 8v | 1,9 V @ 250 ähm | 5nc @ 4,5 v | 564PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||
 | CSD87350q5d | 2.7500 | | 14 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | CSD87350Q5 | MOSFET (Metalloxid) | 12W | 8-lson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 40a | 5.9mohm @ 20a, 8v | 2,1 V @ 250 ähm | 10.9nc @ 4.5v | 1770pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||
| CSD17527Q5A | 1.1700 | | 13 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17527 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 65a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.8mohm @ 11a, 10V | 2v @ 250 ähm | 3,4 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 506 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | |||||||||||
| CSD17307Q5A | 0,8300 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17307 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 14A (TA), 73a (TC) | 3v, 8v | 10,5 MOHM @ 11A, 8V | 1,8 V @ 250 ähm | 5,2 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 700 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | |||||||||||
 | CSD17313Q2Q1 | 0,7600 | | 6 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Automobile, AEC-Q100, NexFET ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | CSD17313 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Wson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5a (TC) | 3v, 8v | 30mohm @ 4a, 8v | 1,8 V @ 250 ähm | 2,7 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 340 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA) | |||||||||||
| CSD16401Q5 | 2.6400 | | 6 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 38A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 40A, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | 29 NC @ 4,5 V. | +16 V, -12v | 4100 PF @ 12.5 V. | - - - | 3.1W (TA) | |||||||||||
| CSD17312Q5 | 2.3000 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17312 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 38A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 1,5 MOHM @ 35A, 8V | 1,5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 5240 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA) | |||||||||||
| CSD25484F4 | 0,3800 | | 49 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD25484 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 1,8 V, 8 V. | 94mohm @ 500 mA, 8v | 1,2 V @ 250 ähm | 1,42 NC @ 4,5 V. | -12V | 230 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||
 | CSD87503Q3ET | 1.7500 | | 7 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CSD87503 | MOSFET (Metalloxid) | 15.6W | 8-VSON (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 30V | 10a (ta) | - - - | 2,1 V @ 250 ähm | 17.4nc @ 4,5V | 1020pf @ 15V | - - - | |||||||||||||
 | CSD23202W10T | 1.0000 | | 15 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-UFBGA, DSBGA | CSD23202 | MOSFET (Metalloxid) | 4-dsbga (1x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | P-Kanal | 12 v | 2.2a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 53mohm @ 500 mA, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 3,8 NC @ 4,5 V. | -6v | 512 PF @ 6 V. | - - - | 1W (TA) | |||||||||||
 | CSD19532KTTT | 2.8600 | | 10 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa | CSD19532 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 200a (TA) | 6 V, 10V | 5.6mohm @ 90a, 10V | 3,2 V @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | 5060 PF @ 50 V | - - - | 250 W (TC) | |||||||||||
 | CSD19532Q5B | 2.6400 | | 9 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD19532 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 100a (ta) | 6 V, 10V | 4,9 MOHM @ 17A, 10V | 3,2 V @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 4810 PF @ 50 V | - - - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||
 | CSD17585F5 | 0,4900 | | 88 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | CSD17585 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5.9a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 27mohm @ 900 mA, 10V | 1,7 V @ 250 ähm | 5.1 NC @ 10 V | 20V | 380 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) |
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