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Transistoren (427)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD75208W1015T | 1.1300 |  | 7 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, DSBGA | CSD75208 | MOSFET (Metalloxid) | 750 MW | 6-dsbga (1x1.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | 2 p-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 20V | 1.6a | 68mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 2,5nc @ 4,5 V | 410pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||
 | CSD18511q5at | 1.6700 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18511 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 40 v | 159a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 24a, 4,5 V. | 2.45 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 5850 PF @ 10 V | - - - | 104W (TC) | ||||||||||||
 | CSD87502Q2T | 1.2100 | | 40 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | CSD87502 | MOSFET (Metalloxid) | 2.3W | 6-Wson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5a | 32.4mohm @ 4a, 10V | 2v @ 250 ähm | 6nc @ 10v | 353PF @ 15V | Logikpegel -Tor, 5 V Auftwerk | ||||||||||||||
 | CSD19535KTTT | 4.1200 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-4, d²pak (3 Leitete + Tab), to-263aaaa | CSD19535 | MOSFET (Metalloxid) | Ddpak/to-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 200a (TA) | 6 V, 10V | 3.4mohm @ 100a, 10 V. | 3,4 V @ 250 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7930 PF @ 50 V | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||
 | CSD23280F3 | 0,4500 | | 63 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD23280 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 1,8a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 116mohm @ 400 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,23 NC @ 4,5 V. | -6v | 234 PF @ 6 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||
 | CSD87351ZQ5d | 0,9692 | | 7926 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | CSD87351 | MOSFET (Metalloxid) | 12W | 8-lson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | 32a | - - - | 2,1 V @ 250 ähm | 7.7nc @ 4.5v | 1255PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||
 | CSD19501KCS | 2.1100 | | 6762 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | CSD19501 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 80 v | 100a (ta) | 6 V, 10V | 6,6 MOHM @ 60A, 10V | 3,2 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 3980 PF @ 40 V | - - - | 217W (TC) | ||||||||||||
 | CSD87502Q2 | 0,5900 | | 76 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | CSD87502 | MOSFET (Metalloxid) | 2.3W | 6-Wson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5a | 32.4mohm @ 4a, 10V | 2v @ 250 ähm | 6nc @ 10v | 353PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||
| CSD25303W1015 | - - - | | 2361 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, DSBGA | CSD2530 | MOSFET (Metalloxid) | 6-dsbga (1x1.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 58mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4,3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 435 PF @ 10 V. | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||||||
 | CSD17484F4T | 0,8800 | | 24 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD17484 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | N-Kanal | 30 v | 3a (ta) | 1,8 V, 8 V. | 121mohm @ 500 mA, 8v | 1,1 V @ 250 ähm | 0,2 NC @ 8 V | 12V | 195 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||
 | TPS1100PWR | 0,7130 | | 4284 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TPS1100 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 15 v | 1.27a (TA) | 2,7 V, 10 V. | 180 MOHM @ 1,5A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 5.45 NC @ 10 V | +2 V, -15v | - - - | 504 MW (TA) | |||||||||||||
 | CSD17575Q3 | 1.1200 | | 77 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17575 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSON-Clip (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 60a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 25a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 4420 PF @ 15 V | - - - | 2,8 W (TA), 108W (TC) | ||||||||||||
 | TPS1120D | 1.6926 | | 6836 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TPS1120 | MOSFET (Metalloxid) | 840 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 75 | 2 p-kanal (dual) | 15 v | 1.17a | 180 MOHM @ 1,5A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 5.45nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||||||
 | CSD16301Q2 | 0,5800 | | 21 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | CSD16301 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Sson | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 5a (TC) | 3v, 8v | 24Mohm @ 4a, 8v | 1,55 V @ 250 ähm | 2,8 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 340 PF @ 12.5 V. | - - - | 2,3 W (TA) | ||||||||||||
 | SN75468NG4 | - - - | | 9120 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | 75468 | - - - | 16-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | - - - | - - - | ||||||||||||||||
| CSD17576Q5BT | 1.5700 | | 477 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17576Q5 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 30 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 25a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 32 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 4430 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||
 | LM3046m | - - - | | 5963 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | LM3046 | 750 MW | 14-soic | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 55 | - - - | 15 v | 50 ma | 5 npn | 40 @ 1ma, 3v | - - - | 3.25db @ 1kHz | ||||||||||||||||
 | CSD88599Q5DC | 4.1700 | | 547 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 22-powertfdfn | CSD88599Q5 | MOSFET (Metalloxid) | 12W | 22-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 60 v | - - - | 2,1 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 27nc @ 4,5V | 4840PF @ 30V | - - - | ||||||||||||||
| CSD17578Q5A | 0,7600 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD17578 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 25a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6,9 MOHM @ 10a, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | 22.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1510 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||
| CSD18540Q5BT | 3.0600 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18540 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 60 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 Mohm @ 28a, 10 V | 2,3 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 4230 PF @ 30 V | - - - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||||
| CSD16327Q3 | 1.1400 | | 16 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16327 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSON-Clip (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 3v, 8v | 4mohm @ 24a, 8v | 1,4 V @ 250 ähm | 8,4 NC @ 4,5 V. | +10 V, -8v | 1300 PF @ 12.5 V. | - - - | 3W (TA) | ||||||||||||
| CSD17483F4 | 0,4500 | | 88 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | CSD17483 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 240 MOHM @ 500 mA, 8V | 1,1 V @ 250 ähm | 1,3 NC @ 4,5 V. | 12V | 190 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||
| CSD17571Q2 | 0,5000 | | 26 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | CSD17571 | MOSFET (Metalloxid) | 6-son (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 22a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 5a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 3.1 NC @ 4.5 V. | ± 20 V | 468 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||
 | CSD86356Q5DT | 2.8700 | | 8743 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD86356 | MOSFET (Metalloxid) | 12W (TA) | 8-Vson-Clip (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 25 v | 40a (ta) | 4,5 MOHM @ 20A, 5V, 0,8 MOHM @ 20A, 5V | 1,85 V @ 250 UA, 1,5 V @ 250 µA | 7,9nc @ 4,5V, 19,3nc @ 4,5 V. | 1040pf @ 12.5V, 2510pf @ 12,5 V. | Logikpegel -Tor, 5 V Auftwerk | ||||||||||||||
| CSD87335q3d | 1.6000 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | CSD87335Q3 | MOSFET (Metalloxid) | 6W | 8-lson (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | - - - | - - - | 1,9 V @ 250 ähm | 7.4nc @ 4.5V | 1050pf @ 15V | - - - | ||||||||||||||
 | CSD83325L | 0,6000 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-XFBGA | CSD83325 | MOSFET (Metalloxid) | 2.3W | 6-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 12V | - - - | - - - | 1,25 V @ 250 ähm | 10.9nc @ 4.5v | - - - | - - - | ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | 2.9600 | | 7 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD18532 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 60 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 Mohm @ 25a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 20 V | 5070 PF @ 30 V | - - - | 3,2 W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||
 | CSD22206W | 0,7700 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22206 | MOSFET (Metalloxid) | 9-dsbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 5,7 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1,05 V @ 250 ähm | 14,6 NC @ 4,5 V. | -6v | 2275 PF @ 4 V. | - - - | 1.7W (TA) | ||||||||||||
 | CSD13385F5 | 0,4900 | | 49 | 0.00000000 | Texas Instrumente | Femtofet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | CSD13385 | MOSFET (Metalloxid) | 3-Picostar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 4.3a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 19Mohm @ 900 mA, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 5 NC @ 4,5 V. | 8v | 674 PF @ 6 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||
| CSD16570Q5BT | 2.8000 | | 26 | 0.00000000 | Texas Instrumente | NexFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CSD16570 | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSONP (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | 25 v | 100a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 0,59 MOHM @ 50a, 10 V. | 1,9 V @ 250 ähm | 250 NC @ 10 V | ± 20 V | 14000 PF @ 12 V | - - - | 3.2W (TA), 195W (TC) |
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