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Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2710UFB-7B | 0,0345 |  | 7777 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DMN2710 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | 31-DMN2710UFB-7B | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 1,3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 450MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 42 PF @ 16 V. | - - - | 720 MW (TA) | |||||||||||||||
 | ZXT2M322ta | - - - | | 3360 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powermd, Flache Leitungen | ZXT2M322 | 3 w | 3-mlp/dfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 20 v | 3.5 a | 25na | PNP | 300 MV @ 350 Ma, 3,5a | 150 @ 2a, 2v | 180 MHz | |||||||||||||||||
 | 2dd1766r-13 | 0,4000 | | 370 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2dd1766 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 800mv @ 200 Ma, 2a | 180 @ 500 Ma, 3V | 220 MHz | |||||||||||||||||
 | DMG3414UQ-13 | 0,1066 | | 6173 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMG3414 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 4.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 25mo @ 8.2a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 9,6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 829.9 PF @ 10 V. | - - - | 780 MW | |||||||||||||
 | DMP1011LFV-7 | 0,2761 | | 3189 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP1011 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 12 v | 19A (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 11,7 MOHM @ 12A, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 9,5 NC @ 6 V | -6v | 913 PF @ 6 V | - - - | 2.16W | |||||||||||||
 | DMP3017SFK-7 | - - - | | 7405 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | DMP3017 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2523-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 10.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 9.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 25 V | 4414 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | FZT560QTC | 0,3590 | | 8410 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 2 w | SOT-223 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FZT560qtctr | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 500 V | 150 Ma | 100na | PNP | 500mv @ 10 mA, 50 mA | 100 @ 1ma, 10V | 60 MHz | |||||||||||||||||||
 | DDTA125TKA-7-F | - - - | | 5388 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA125 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 50 UA, 500 µA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 200 Kohms | |||||||||||||||||
| DDTA113TKA-7-F | - - - | | 1188 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA113 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1 Kohms | |||||||||||||||||
| DDTC115TKA-7-F | - - - | | 2977 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC115 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||
 | FZT869TC | - - - | | 7027 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT869 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25 v | 7 a | 50na (ICBO) | Npn | 350 MV @ 150 Ma, 6,5a | 300 @ 1a, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | DNLS160V-7 | - - - | | 2424 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DNLS160 | 300 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100na | Npn | 250mv @ 100 mA, 1a | 250 @ 1ma, 5v | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | DMC3018LSD-13 | - - - | | 3288 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMC3018 | MOSFET (Metalloxid) | 2.5W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 9.1a, 6a | 20mohm @ 6.9a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 12.4nc @ 10v | 631PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
| DMN2058U-7 | 0,3800 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2058 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4.6a (TA) | 1,8 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 1,2 V @ 250 ähm | 7,7 NC @ 10 V | ± 12 V | 281 PF @ 10 V. | - - - | 1.13W | |||||||||||||
 | DCX123JU-7-F | 0,3500 | | 247 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX123 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2ko | 47kohm | ||||||||||||||||
 | DDTC113TLP-7 | 0,1213 | | 5792 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DDTC113 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1 Kohms | |||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7 | 0,3800 | | 134 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | MMBT3904 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||
| DMN3300UQ-7-52 | 0,0990 | | 6121 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN3300 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-DMN3300UQ-7-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,5a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 4,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | 193 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW | ||||||||||||||||
 | ZXT690BKQTC | 1.3100 | | 3410 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 1,6 w | To-252, (d-pak) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 45 V | 3 a | 20na | Npn | 350 MV @ 150 Ma, 3a | 500 @ 100 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||
 | DMP4013SPS-13 | 0,4607 | | 4865 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMP4013 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMP4013SPS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 11A (TA), 61A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 4004 PF @ 20 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||
| ZXTP2027FQTA | 0,3724 | | 1146 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 1 w | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-ZXTP2027FQTATR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 60 v | 4 a | 20na | PNP | 240mv @ 200ma, 4a | 100 @ 2a, 2v | 165 MHz | |||||||||||||||||||
 | DMT6030LFDF-7 | 0,2284 | | 9095 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMT6030 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMT6030LFDF-7DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 6.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 25,5 MOHM @ 6,5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 639 PF @ 30 V | - - - | 860 MW (TA), 9.62 W (TC) | ||||||||||||
 | ZXMN10A08E6TA | 0,6400 | | 9172 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXMN10 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 1,5a (ta) | 6 V, 10V | 250 MOHM @ 3.2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 7,7 NC @ 10 V | ± 20 V | 405 PF @ 50 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||||||||||
| 2N7002DWQ-7-F | 0,3700 | | 84 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | 310 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 230 Ma | 7.5OHM @ 50 Ma, 5V | 2v @ 250 ähm | - - - | 50pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||
 | ZXMP2120E5TA | - - - | | 7407 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-25 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 122 mA (ta) | 10V | 28ohm @ 150 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 750 MW (TA) | |||||||||||||||
| ZXTN2093FQTA | - - - | | 7861 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 31-ZXTN2093FQTA | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMTH10H015SPSQ-13 | 0,5397 | | 2911 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 8,4a (TA), 50,5a (TC) | 6 V, 10V | 14,5 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 30.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2343 PF @ 50 V | - - - | 1,5W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||
| DDA114YK-7-F | - - - | | 5107 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DDA114 | 300 MW | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | ||||||||||||||||
 | DMN3060LVT-7 | 0,1348 | | 5843 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMN3060 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | TSOT-26 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN3060LVT-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 3.6a (TA) | 60MOHM @ 3.1a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 11.3nc @ 10v | 395PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||
 | MMBTH10-7 | 0,4600 | | 386 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | MmbTH10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-MMBTH10-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
2000+
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Standardprodukteinheit
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