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Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMST6427-7-F | 0,4500 |  | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMST6427 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 500 mA | 1 µA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 500 µA, 500 mA | 20000 @ 100ma, 5V | - - - | |||||||||||||||||
 | ZTX705 | 0,8700 | | 3869 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX705 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 120 v | 1 a | 10 µA | PNP - Darlington | 2,5 V @ 2MA, 2a | 3000 @ 1a, 5V | 160 MHz | |||||||||||||||||
 | DMC3730uffl3-7 | 0,4800 | | 13 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-xfdfn exponiert Pad | DMC3730 | MOSFET (Metalloxid) | 390 MW | X2-DFN1310-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-und p-kanal-krementär | 30V | 1.1a, 700 mA | 460MOHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 0,9nc @ 4,5 V | 65.9pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||
 | ZVP2106GTC | - - - | | 6539 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 60 v | 450 Ma (TA) | 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 18 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||
 | DMNH6010SCTB-13 | 1.7264 | | 6093 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | DMNH6010 | MOSFET (Metalloxid) | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMNH6010SCTB-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 133a (TC) | 10V | 10Mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 46 NC @ 10 V | ± 20 V | 2692 PF @ 25 V. | - - - | 5W (TA), 375W (TC) | ||||||||||||||
| BC857CW-7-F | 0,2000 | | 38 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||||||||||||||
 | DP350T05-7 | 0,3300 | | 311 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DP350 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 350 V | 500 mA | 50na (ICBO) | PNP | 1v @ 5 ma, 50 mA | 20 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | |||||||||||||||||
| DMP2305U-7 | 0,4100 | | 245 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2305 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 60MOHM @ 4,2a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 7,6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 727 PF @ 20 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||||||||||
 | ZXMD65N03N8TA | - - - | | 3231 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Digi-reel® | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ZXMD65N03 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | 8-so | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6.5a | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||
 | DDTA144GKA-7-F | - - - | | 4920 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||
| FZT2907ATA | - - - | | 5839 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Digi-reel® | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT2907A | 1,5 w | SOT-223-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 600 mA | - - - | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||
| DDTA114WCA-7-F | 0,0386 | | 2560 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 24 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||
 | DMN62D4LFB-7B | 0,0439 | | 2900 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DMN62 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN62D4LFB-7BTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 407 mA (ta) | 5v, 10V | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 1,1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 40 PF @ 30 V | - - - | 500 MW | ||||||||||||||
 | DCX124EU-7 | - - - | | 9359 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX124 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | ||||||||||||||||
| DMN2046U-7 | 0,3700 | | 297 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2046 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.4a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 72mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 3,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 292 PF @ 10 V | - - - | 760 MW (TA) | |||||||||||||
| DDTA144GCA-7-F | 0,0386 | | 8541 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | DDTA (R2-Sery-Serie) ca | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||
| ZTX558W | - - - | | 3522 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | 31-CKTX558W | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 200 ma | 100na | PNP | 500mv @ 6ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||
 | DMP3045LFVW-13 | 0,1733 | | 6227 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMP3045 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP3045LFVW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5.7a (TA), 19,9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 4,9a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 13.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 782 PF @ 15 V | - - - | 900 MW (TA) | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7B | 0,3600 | | 103 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DMP56 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 2,5 V, 4 V. | 6OHM @ 100 mA, 4V | 1,2 V @ 250 ähm | 0,58 NC @ 4 V. | ± 8 v | 50.54 PF @ 25 V. | - - - | 425 MW (TA) | |||||||||||||
 | DMN2044UCB4-7 | 0,5800 | | 55 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-UFBGA, WLBGA | DMN2044 | MOSFET (Metalloxid) | U-WLB1010-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 47 NC @ 8 V. | ± 8 v | 1400 PF @ 10 V. | - - - | 720 MW | |||||||||||||
| ZVP4105ASTOA | - - - | | 5422 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 50 v | 175 mA (ta) | 5v | 10ohm @ 100 mA, 5V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 40 PF @ 25 V. | - - - | 625 MW (TA) | ||||||||||||||||
| Ztx718Stob | - - - | | 5192 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX718 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 20 v | 2,5 a | 100na | PNP | 260mv @ 200 Ma, 2,5a | 150 @ 2a, 2v | 180 MHz | ||||||||||||||||||
| DDTC144EUA-7-F | 0,2500 | | 537 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC144 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
| DDTA115GCA-7 | 0,1000 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA115 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||
| ZXMP4A16GTA | 0,8900 | | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXMP4A16 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 40 v | 6.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 3,8a, 10V | 1V @ 250 ähm | 26.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1007 PF @ 20 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||
 | DMP2065UFDB-7 | 0,4900 | | 18 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMP2065 | MOSFET (Metalloxid) | 1,54W | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a (TA) | 50mohm @ 2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 9.1nc @ 4,5V | 752pf @ 15V | - - - | |||||||||||||||
| DDTC124GUA-7-F | 0,0435 | | 1015 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC124 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | |||||||||||||||||
| DMN13H750S-13 | 0,1701 | | 7690 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN13 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN13H750S-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 130 v | 1a (ta) | 6 V, 10V | 750Mohm @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 5.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 231 PF @ 25 V. | - - - | 770 MW (TA) | ||||||||||||
 | DDTC113ze-7 | 0,3500 | | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC113 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
 | DXT3904-13 | 0,4700 | | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DXT3904 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz |
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Standardprodukteinheit
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