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Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCW68HTC | - - - |  | 6612 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW68 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 800 mA | 20na | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | DMP2160UFDB-7 | 0,4600 | | 185 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMP2160 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.8a | 70 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 6,5nc @ 4,5V | 536PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
 | ADC143ZUQ-7 | 0,0651 | | 3379 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADC143 | 270 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | ||||||||||||||||
 | BCP5610QTC | 0,1097 | | 5783 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP5610 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BCP5610QTCDI | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||
 | DMTH6015LDVW-7 | 0,3061 | | 3624 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMTH6015 | MOSFET (Metalloxid) | 1.46W (TA) | PowerDI3333-8 (Typ UXD) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMTH6015LDVW-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 9,2a (TA), 24,5a (TC) | 20,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14.3nc @ 10v | 825PF @ 30V | - - - | ||||||||||||||||
 | ZTX657 | 0,8700 | | 4026 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX657 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX657-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||
| DDTC123JCA-7-F | 0,2200 | | 428 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
| BCP6925TC | - - - | | 9039 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP69 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 160 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | DMTH6016LFDFWQ-7 | 0,3113 | | 2222 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMTH6016 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9,4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 925 PF @ 30 V | - - - | 1.06W (TA) | |||||||||||||
 | DMT6007LFG-13 | 0,4351 | | 8970 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT6007 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15a (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 2v @ 250 ähm | 41,3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2090 PF @ 30 V | - - - | 2,2 W (TA), 62,5 W (TC) | |||||||||||||
 | ZXTCM322ta | - - - | | 9636 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powermd, Flache Leitungen | ZXTCM322 | 3 w | 3-mlp/dfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50 v | 4 a | 25na | Npn | 320mv @ 200ma, 4a | 100 @ 2a, 2v | 165 MHz | |||||||||||||||||
 | Bst61ta | - - - | | 9101 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BST61 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 v | 500 mA | 10 µA | PNP - Darlington | 1,3 V @ 500 µA, 500 mA | 1000 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||
| ZXTP5401FLTA | 0,4300 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTP5401 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| Mmdt3946-7-f | 0,4500 | | 43 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mmdt3946 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | - - - | NPN, PNP | 300mv @ 5 mA, 50 mA / 400 mv @ 5 mA, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz, 250 MHz | |||||||||||||||||
 | DMN5L06DMKQ-7 | 0,1808 | | 7100 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DMN5L06 | MOSFET (Metalloxid) | 400 MW | SOT-26 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 305 Ma | 2OHM @ 50 Ma, 5V | 1V @ 250 ähm | - - - | 50pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||
| DXTP3C100PDQ-13 | 0,8500 | | 9180 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DXTP3C100 | 1.76W | PowerDI5060-8 (Typ UXD) | Herunterladen | 31-DXTP3C100PDQ-13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100V | 3a | 100na | 2 PNP (Dual) | 325mv @ 200 Ma, 2a | 170 @ 500 mA, 10V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | 0,3300 | | 56 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN53 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 300 mA (TA) | 1,8 V, 5 V. | 2OHM @ 50 Ma, 5V | 1V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 37.1 PF @ 25 V. | - - - | 520 MW (TA) | |||||||||||||
| Fmmt459ta | 0,5700 | | 5119 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt459 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 450 V | 150 Ma | 100na | Npn | 90 mv @ 6ma, 50 mA | 50 @ 30 mA, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||
 | MMBTH10-7 | 0,4600 | | 386 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | MmbTH10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-MMBTH10-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DDTD142TU-7 | 0,3900 | | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTD142 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| BSS138K-7 | 0,3100 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 310 mA (TA) | 10V | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 0,95 NC @ 10 V. | ± 20 V | 23.2 PF @ 25 V. | - - - | 380 MW | |||||||||||||
 | DMG6402LVT-7 | 0,3800 | | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMG6402 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 7a, 10V | 2v @ 250 ähm | 11.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 498 PF @ 15 V | - - - | 1,75W (TA) | |||||||||||||
| ZVNL120ASTOB | - - - | | 7520 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 180 ma (ta) | 3V, 5V | 10ohm @ 250 mA, 10V | 1,5 V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||
 | DDTC125TE-7-F | - - - | | 2832 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC125 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 50 UA, 500 µA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 200 Kohms | |||||||||||||||||
 | DMP2165UW-13 | 0,0733 | | 7154 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMP2165 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 335 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||
| DDTA143FCA-7-F | 0,3900 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA143 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
| MMBT2222A-7-F | 0,1400 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||
| DDTC144VCA-7 | - - - | | 4493 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC144 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
 | DDTA143EKA-7-F | - - - | | 8404 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA143 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||
 | ZDT651TC | - - - | | 6437 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT651 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 2a | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz |
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