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Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FZT692BTC | - - - |  | 5078 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT692 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 70 V | 2 a | 100na | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 150 @ 1a, 2v | 150 MHz | ||||||||||||||||||
 | Zdt6753ta | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT6753 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100V | 2a | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 175 MHz, 140 MHz | |||||||||||||||||
 | DMN3007LSS-13 | - - - | | 7778 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN3007 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 15a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 64.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2714 PF @ 15 V | - - - | 2.5W | |||||||||||||
 | DMN2011UFDE-7 | 0,6200 | | 20 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | DMN2011 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (Typ E) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 11.7a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 9,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 12 V | 2248 PF @ 10 V. | - - - | 610 MW (TA) | |||||||||||||
 | DXTN03060BFG-7 | 0,2319 | | 3310 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | 1,2 w | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DXTN03060BFG-7TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 60 v | 6 a | 100na | Npn | 260mv @ 300 mA, 6a | 100 @ 2a, 2v | 140 MHz | |||||||||||||||||||
 | DMT3011LDT-7 | 0,8900 | | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | DMT3011 | MOSFET (Metalloxid) | 1,9W | V-DFN3030-8 (Typ K) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | 8a, 10.7a | 20mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13.2nc @ 10v | 641pf @ 15V | - - - | |||||||||||||||
 | Ztx601astz | - - - | | 9843 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX601 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 160 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,2 V @ 10ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 250 MHz | ||||||||||||||||||
| FZT655ta | 0,6800 | | 65 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT655 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 150 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 1a | 50 @ 500 mA, 5V | 30 MHz | |||||||||||||||||
| FZT717ta | 0,3536 | | 6878 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT717 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 320 MV @ 50 Ma, 3a | 300 @ 100 mA, 2 V | 110 MHz | |||||||||||||||||
 | MMBT5551-7 | - - - | | 2712 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT5551 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10ma, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||
 | DMN62D0UW-7 | 0,2900 | | 95 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN62 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 340 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 2OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,5 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 32 PF @ 30 V | - - - | 320 MW (TA) | |||||||||||||
 | DMT6007LFG-13 | 0,4351 | | 8970 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT6007 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15a (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 2v @ 250 ähm | 41,3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2090 PF @ 30 V | - - - | 2,2 W (TA), 62,5 W (TC) | |||||||||||||
 | DXTP3C100PDQ-13 | 0,8500 | | 9180 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DXTP3C100 | 1.76W | PowerDI5060-8 (Typ UXD) | Herunterladen | 31-DXTP3C100PDQ-13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100V | 3a | 100na | 2 PNP (Dual) | 325mv @ 200 Ma, 2a | 170 @ 500 mA, 10V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
| BCP5610QTC | 0,1097 | | 5783 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP5610 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BCP5610QTCDI | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | 0,3300 | | 56 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN53 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 300 mA (TA) | 1,8 V, 5 V. | 2OHM @ 50 Ma, 5V | 1V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 37.1 PF @ 25 V. | - - - | 520 MW (TA) | |||||||||||||
 | ZXTCM322ta | - - - | | 9636 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powermd, Flache Leitungen | ZXTCM322 | 3 w | 3-mlp/dfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50 v | 4 a | 25na | Npn | 320mv @ 200ma, 4a | 100 @ 2a, 2v | 165 MHz | |||||||||||||||||
 | Bst61ta | - - - | | 9101 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BST61 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 v | 500 mA | 10 µA | PNP - Darlington | 1,3 V @ 500 µA, 500 mA | 1000 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||
| ZXTP5401FLTA | 0,4300 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTP5401 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | ZXMN6A11DN8TA | 0,8900 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | 1,8W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 2.5a | 120 MOHM @ 2,5A, 10 V | 1 V @ 250 um (min) | 5.7nc @ 10v | 330pf @ 40V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
| ZXTP25020DZTA | 0,5700 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZXTP25020 | 2,4 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 5 a | 50na (ICBO) | PNP | 265mv @ 500 mA, 5a | 300 @ 10ma, 2v | 290 MHz | |||||||||||||||||
| DCX53-13 | - - - | | 8835 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DCX53 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||||
| DMN67D8LW-13 | 0,2400 | | 386 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN67 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 240 mA (TA) | 5v, 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,82 NC @ 10 V. | ± 30 v | 22 PF @ 25 V. | - - - | 320 MW (TA) | |||||||||||||
| ZTX692BSTOA | - - - | | 7356 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX692B | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 70 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10ma, 1a | 400 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
 | DMTH6016LK3-13 | 0,4900 | | 5739 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMTH6016 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 10,8a (TA), 46,9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 864 PF @ 30 V | - - - | 3.2W (TA) | |||||||||||||
| DMN2300U-7 | 0,4600 | | 2118 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2300 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1.24a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 175mohm @ 300 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 64.3 PF @ 25 V. | - - - | 430 MW (TA) | |||||||||||||
| Fmmt451ta | 0,3800 | | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt451 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 15ma, 150 mA | 50 @ 150 mA, 10V | 150 MHz | |||||||||||||||||
| DDTC143ZUA-7-F | 0,2500 | | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC143 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | ZXTN07012Effta | 0,6300 | | 3407 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | ZXTN07012 | 1,5 w | SOT-23F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 4.5 a | 50na (ICBO) | Npn | 320 MV @ 45 Ma, 4,5a | 500 @ 100 mA, 2V | 220 MHz | |||||||||||||||||
| MJD31CUQ-13 | 0,6600 | | 1475 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD31 | 1,6 w | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 3 a | 1 µA | Npn | 700 MV @ 375 Ma, 3a | 25 @ 1a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||
| DXT3906-13 | 0,4600 | | 11 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DXT3906 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 40 v | 200 ma | 50na (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
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