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IGBTs (8343)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Testedingung	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
FGD3040G2-F085D	- - -	RFQ	1620	Onsemi	- - -	Schüttgut	Veraltet				FGD3040					- - -					Ear99	8541.29.0095	1
PCISL9R1560W	1.3900	RFQ	1632	Onsemi	- - -	Schüttgut	Lets Kaufen				PCISL9					- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	488-pcisl9r1560w	Ear99	8541.29.0095	1
F3L225R12W3H3B11BPSA1	123.1900	RFQ	4731	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Aktiv				F3L225					- - -		1 (unbegrenzt)					8
Ixya20n120c4hv-trl	3.0605	RFQ	2612	Ixys	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv				Ixya20					- - -				238-IXYA20N120C4HV-Trltr			800
BSM150GB120DN2FE325HOSA1	- - -	RFQ	8607	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Veraltet				BSM150					- - -					Veraltet		1
BSM400GA120DN2SE325HOSA1	- - -	RFQ	8952	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Veraltet				BSM400					- - -					Veraltet		1
NXH240B120H3Q1PG-R	151.8600	RFQ	21	Onsemi	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	NXH240		158 w	Standard	32-Pim (71x37.4)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	488-NXH240B120H3Q1PG-R	Ear99	8541.29.0095	21	Drei -Level -Wechselrichter			TRABENFELD STOPP	1200 V	68 a		2v @ 15V, 80a				400 µA	Ja	18.151 NF @ 20 V.
NXH800A100L4Q2F2S2G	130.4500	RFQ	3321	Onsemi	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	NXH800		714 w	Standard	51-PIM/Q2Pack (93x47)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	488-NXH800A100L4Q2F2S2G	Ear99	8541.29.0095	36	Drei -Level -Wechselrichter			TRABENFELD STOPP	1000 v	309 a		2,3 V @ 15V, 400a				20 µA	Ja	49.7 NF @ 20 V.
NXH400N100L4Q2F2SG	198.5200	RFQ	2902	Onsemi	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	NXH400		980 w	Standard	48-PIM/Q2Pack (93x47)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	488-NXH400N100L4Q2F2SG	Ear99	8541.29.0095	12	Drei -Level -Wechselrichter			TRABENFELD STOPP	1000 v	360 a		2,2 V @ 15V, 400a				25 µA	Ja	26.06 NF @ 20 V
NXH600B100H4Q2F2SG	275.6300	RFQ	36	Onsemi	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	NXH600		511 w	Standard	44-Pim (93x47)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	488-NXH600B100H4Q2F2SG	Ear99	8541.29.0095	36	Drei -Level -Wechselrichter			TRABENFELD STOPP	1000 v	192 a		2,3 V @ 15V, 200a				10 µA	Ja	13.256 NF @ 20 V
NXH300B100H4Q2F2SG-R	265.1700	RFQ	4026	Onsemi	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	NXH300		194 w	Standard	53-PIM/Q2Pack (93x47)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	488-NXH300B100H4Q2F2SG-R	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrückke Wechselrichter			TRABENFELD STOPP	1000 v	73 a		2,25 V @ 15V, 100a				800 µA	Ja	6.323 NF @ 20 V
VS-GT400LH060N	135.4500	RFQ	9055	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	GT400		1.363 kW	Standard	Double Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT400LH060N			1	Einzelhubschlaar			TRABENFELD STOPP	600 V	492 a		2v @ 15V, 400a				20 µA	NEIN
VS-GT50LA65UF	26.8736	RFQ	9487	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT50		163 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT50LA65UF			1	Einzelhubschlaar			TRABENFELD STOPP	650 V	59 a		2,1 V @ 15V, 50a				40 µA	NEIN
VS-GT75NA60UF	37.4800	RFQ	5221	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT75		231 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT75NA60UF			1	Einzelhubschlaar			TRABENFELD STOPP	600 V	81 a		2,26 V @ 15V, 70a				100 µA	NEIN
VS-GT90DA60U	36.0300	RFQ	2878	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Hexfred®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT90		446 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT90DA60U			1	Einzel			TRABENFELD STOPP	600 V	146 a		2,15 V @ 15V, 100a				100 µA	NEIN
VS-GT200TP065U	2.0900	RFQ	9144	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	GT200		429 w	Standard	Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT200TP065U			1	Halbbrücke			TRABENFELD STOPP	650 V	177 a		2,12 V @ 15V, 200a				200 µA	NEIN
IRG7PH50K10D-EPBF	- - -	RFQ	4264	Infineon -technologien	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	IRG7PH	Standard	400 w		To-247ad	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001549418	Ear99	8541.29.0095	25		600 V, 35A, 5OHM, 15 V.	130 ns	- - -	1200 V	90 a	160 a	2,4 V @ 15V, 35a	2,3 MJ (EIN), 1,6mj (AUS)	300 NC	90ns/340ns
IRG4PH30K	- - -	RFQ	2156	Infineon -technologien	- - -	Tasche	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard	100 w		To-247ac	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	*IRG4PH30K	Ear99	8541.29.0095	25		960 V, 10a, 23 Ohm, 15 V		- - -	1200 V	20 a	40 a	4,2 V @ 15V, 10a	640 µJ (EIN), 920 µJ (AUS)	53 NC	28ns/200ns
IRG4BC40W	- - -	RFQ	9963	Infineon -technologien	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		Standard	160 w		To-220ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	*IRG4BC40W	Ear99	8541.29.0095	50		480 V, 20a, 10ohm, 15 V.		- - -	600 V	40 a	160 a	2,5 V @ 15V, 20a	110 µJ (EIN), 230 µJ (AUS)	98 NC	27ns/100ns
Fii24n17ah1	- - -	RFQ	9119	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	I4 -Pac ™ -5	Fii24n17		140 w	Standard	Isoplus i4-pac ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25	Halbbrücke			Npt	1700 v	18 a		6v @ 15V, 16a				100 µA	NEIN	2.4 NF @ 25 V.
CM100DY-34T	- - -	RFQ	6164	Powerex Inc.	*	Schüttgut	Aktiv				CM100Dy					- - -	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)				0000.00.0000	1
RGPR20NS43HRTL	1.8900	RFQ	84	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	RGPR20	Standard	107 w		LPDs	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000		300 V, 8a, 100 Ohm, 5 V		- - -	460 V	20 a		2,0 V @ 5v, 10a	- - -	14 NC	500 ns/4 µs
MIXA10WB1200TMH	- - -	RFQ	8483	Ixys	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Minipack2	MITA10W		63 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	Minipack2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	20	Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse			Pt	1200 V	17 a		2,1 V @ 15V, 9A				100 µA	Ja
IKY100N120CH7XKSA1	16.4200	RFQ	190	Infineon -technologien	Trenchstop ™	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-4	IKY100N120	Standard	721 w		PG-TO247-4-U10	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		- - -	99 ns	TRABENFELD STOPP	1200 V	212 a	400 a	2,15 V @ 15V, 100a	2,37MJ (EIN), 2,65 MJ (AUS)	714 NC	44ns/359ns
F4100R06KL4BOSA1	- - -	RFQ	5490	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassis -berg	Modul	F4100R		430 w	Standard	Modul	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Halbbrücke			- - -	600 V	130 a		2,55 V @ 15V, 100a				5 Ma	Ja	4.3 NF @ 25 V
IRG6IC30U-110P	- - -	RFQ	9198	Infineon -technologien	- - -	Rohr	Veraltet	- - -	K. Loch	To-220-3 Full Pack	IRG6IC30	Standard	43 w		To-220ab Full-Pak	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		- - -		Graben	330 V	28 a		2,38 V @ 15V, 120a	- - -		- - -
FF100R12KS4HOSA1	131.5100	RFQ	7512	Infineon -technologien	C	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassis -berg	Modul	FF100R12		780 w	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	2 Unabhängig			- - -	1200 V	150 a		3,7 V @ 15V, 100a				5 Ma	NEIN	650 NF @ 25 V.
FF100R12YT3B60BOMA1	52.0000	RFQ	13	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul			1650 w	Standard	- - -	- - -				2156-FF100R12YT3B60BOMA1			6	Halbbrücke			Graben	1200 V	140 a		2,15 V @ 15V, 100a				3 ma	Ja	18,5 NF @ 25 V.
FGL60N100DTU	- - -	RFQ	9996	Onsemi	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa	Fgl6	Standard	176 w		To-264-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	375		- - -	1,5 µs	Graben	1000 v	60 a	120 a	2,9 V @ 15V, 60a	- - -	230 NC	- - -
Ixdp20n60bd1	- - -	RFQ	7775	Ixys	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	Ixdp20	Standard	140 w		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		300 V, 20a, 22OHM, 15 V.	40 ns	Npt	600 V	32 a	40 a	2,8 V @ 15V, 20a	900 µJ (EIN), 400 µJ (AUS)	70 nc	- - -

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

IGBTs (8343)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²