SIC
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IGBTs (8343)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Testedingung IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
IQFH39N04NM6ATMA1 Infineon Technologies IQFH39N04NM6ATMA1 3.6300
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 448-iqfh39n04nm6atma1tr 3.000
IHW30N140R5LXKSA1 Infineon Technologies IHW30N140R5LXKSA1 4.1500
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 448-IHW30N140R5LXKSA1 Ear99 8541.29.0095 30
QID3320002 Powerex Inc. Qid3320002 - - -
RFQ
 ECAD 4148 0.00000000 Powerex Inc. R Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 1,78 kW Standard - - - - - - 835-Qid3320002 1 Halbbrücke - - - 3300 v 370 a 3,3 V @ 15V, 200a 2 Ma NEIN 23000 PF @ 10 V
QIF4515002 Powerex Inc. Qif4515002 - - -
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 Powerex Inc. R Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 1,5 kW Standard - - - - - - 835-Qif4515002 1 Halbbrücke - - - 4500 v 150 a 3,8 V @ 15V, 150a 1,8 Ma NEIN 19000 PF @ 10 V.
QID6508001 Powerex Inc. Qid6508001 - - -
RFQ
 ECAD 5750 0.00000000 Powerex Inc. R Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 1,1 kW Standard - - - - - - 835-Qid6508001 1 Halbbrücke - - - 6300 v 85 a 3v @ 15V, 85a 3 ma NEIN 15000 PF @ 10 V
QID3340001 Powerex Inc. Qid3340001 - - -
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 Powerex Inc. R Schüttgut Abgebrochen bei Sic -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 3,47 kW Standard - - - - - - 835-Qid3340001 1 2 Unabhängig - - - 3300 v 400 a 2,85 V @ 15V, 400A 2 Ma NEIN 46000 PF @ 10 V.
MSCGLQ40X120CTYZBNMG Microchip Technology MSCGLQ40X120CTYZBNMG - - -
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 294 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - Herunterladen 150-MSCGLQ40x120ctyZBNMG 1 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 1200 V 75 a 2,4 V @ 15V, 40a 100 µA Ja 2300 PF @ 25 V.
AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZH120R120M1TXKSA1 10.1405
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 Infineon -technologien * Rohr Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-AMZH120R120M1TXKSA1 240
AIMZA75R008M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R008M1HXKSA1 23.4800
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 Infineon -technologien * Rohr Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-EIMZA75R008M1HXKSA1 240
F3L600R10W4S7FH11BPSA1 Infineon Technologies F3L600R10W4S7FH11BPSA1 225.1700
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-F3L600R10W4S7FH11BPSA1 6
AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZH120R020M1TXKSA1 29.1415
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 Infineon -technologien * Rohr Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-AMZH120R020M1TXKSA1 240
AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R016M1HXKSA1 18.9442
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 Infineon -technologien * Rohr Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-EIMZA75R016M1HXKSA1 240
F4250R07W2H5FB11BPSA1 Infineon Technologies F4250R07W2H5FB11BPSA1 52.0800
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-F4250R07W2H5FB11BPSA1 15
AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R090M1HXKSA1 7.9761
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 Infineon -technologien * Rohr Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-AMZA75R090M1HXKSA1 240
AIMZA75R020M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R020M1HXKSA1 17.0765
RFQ
 ECAD 7974 0.00000000 Infineon -technologien * Rohr Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-AMZA75R020M1HXKSA1 240
AIMZA75R140M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R140M1HXKSA1 6.4037
RFQ
 ECAD 7396 0.00000000 Infineon -technologien * Rohr Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-EIMZA75R140M1HXKSA1 240
AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies AIMDQ75R060M1HXUMA1 9.3056
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 Infineon -technologien * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-AMDQ75R060M1HXUMA1TR 750
RGTVX6TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTVX6TS65GC11 7.1000
RFQ
 ECAD 319 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 RGTVX6 Standard 404 w To-247n Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 80A, 10OHM, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 144 a 320 a 1,9 V @ 15V, 80a 2,65MJ (EIN), 1,8mj (AUS) 171 NC 45ns/201ns
IGC11T60TEX7SA1 Infineon Technologies IGC11T60TEX7SA1 - - -
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv - - - - - - - - - IGC11 - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - - - - - - - - - - - - -
SIGC10T60EX7SA1 Infineon Technologies SIGC10T60EX7SA1 - - -
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc10 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - TRABENFELD STOPP 600 V 20 a 60 a 1,9 V @ 15V, 20a - - - - - -
SIGC14T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC14T60NCX7SA1 - - -
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc14 Standard Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 300 V, 15a, 18 Ohm, 15 V Npt 600 V 15 a 45 a 2,5 V @ 15V, 15a - - - 21ns/110ns
SIGC12T60SNCX1SA2 Infineon Technologies SIGC12T60SNCX1SA2 - - -
RFQ
 ECAD 1844 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc12 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 400 V, 10a, 25 Ohm, 15 V Npt 600 V 10 a 30 a 2,5 V @ 15V, 10a - - - 29ns/266ns
SIGC54T60R3EX1SA2 Infineon Technologies SIGC54T60R3EX1SA2 - - -
RFQ
 ECAD 9263 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc54 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - TRABENFELD STOPP 600 V 100 a 300 a 1,85 V @ 15V, 100a - - - - - -
SIGC11T60NCX1SA2 Infineon Technologies SIGC11T60NCX1SA2 - - -
RFQ
 ECAD 5765 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc11 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 300 V, 10a, 27ohm, 15 V. Npt 600 V 10 a 30 a 2,5 V @ 15V, 10a - - - 20ns/110ns
IGC06T60TEX7SA2 Infineon Technologies IGC06T60TEX7SA2 - - -
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv - - - - - - - - - IGC06 - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - - - - - - - - - - - - -
SIGC12T60SNCX1SA4 Infineon Technologies SIGC12T60SNCX1SA4 - - -
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc12 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 400 V, 10a, 25 Ohm, 15 V Npt 600 V 10 a 30 a 2,5 V @ 15V, 10a - - - 29ns/266ns
SIGC42T60NCX1SA6 Infineon Technologies SIGC42T60NCX1SA6 - - -
RFQ
 ECAD 8343 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Sterben SIGC42T60 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 300 V, 50A, 3,3 Ohm, 15 V. Npt 600 V 50 a 150 a 2,5 V @ 15V, 50A - - - 43ns/130ns
SIGC25T60SNCX1SA2 Infineon Technologies SIGC25T60SNCX1SA2 - - -
RFQ
 ECAD 6401 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc25 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 400 V, 30a, 11ohm, 15 V. Npt 600 V 30 a 90 a 2,5 V @ 15V, 30a - - - 44ns/324ns
SIGC18T60SNCX1SA3 Infineon Technologies SIGC18T60SNCX1SA3 - - -
RFQ
 ECAD 7979 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc18 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 400 V, 20a, 16ohm, 15 V. Npt 600 V 20 a 60 a 2,5 V @ 15V, 20a - - - 36ns/250ns
SIGC81T60SNCX1SA1 Infineon Technologies SIGC81T60SNCX1SA1 - - -
RFQ
 ECAD 2072 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben SIGC81T60 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 400 V, 100a, 3,3 Ohm, 15 V. Npt 600 V 100 a 300 a 2,5 V @ 15V, 100a - - - 65ns/450ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

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