SIC
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IGBTs (8343)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
APTGT150DH120G Microchip Technology APTGT150DH120G 217.1500
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Chassis -berg Sp6 APTGT150 690 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Asymmetrische Brücke TRABENFELD STOPP 1200 V 220 a 2,1 V @ 15V, 150a 350 µA NEIN 10.7 NF @ 25 V
APTGT150DH170G Microchip Technology APTGT150DH170G 283.2220
RFQ
 ECAD 2098 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Chassis -berg Sp6 APTGT150 890 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Asymmetrische Brücke TRABENFELD STOPP 1700 v 250 a 2,4 V @ 15V, 150a 350 µA NEIN 13.5 NF @ 25 V.
APTGT150SK120TG Microsemi Corporation APTGT150SK120TG - - -
RFQ
 ECAD 3934 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 690 w Standard Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 220 a 2,1 V @ 15V, 150a 350 µA Ja 10.7 NF @ 25 V
APTGT150TDU60PG Microchip Technology APTGT150TDU60PG 243,8000
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTGT150 480 w Standard SP6-P Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dreifach, Dual - Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 600 V 225 a 1,9 V @ 15V, 150a 250 µA NEIN 9.2 NF @ 25 V.
APTGT200A60TG Microsemi Corporation APTGT200A60TG - - -
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 625 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 600 V 290 a 1,9 V @ 15V, 200a 250 µA Ja 12.3 NF @ 25 V.
APTGT200DA120G Microchip Technology APTGT200DA120G 174.0714
RFQ
 ECAD 4898 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 AptGT200 890 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 280 a 2,1 V @ 15V, 200a 350 µA NEIN 14 NF @ 25 V
APTGT200DA60TG Microsemi Corporation APTGT200DA60TG - - -
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 625 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 600 V 290 a 1,9 V @ 15V, 200a 250 µA Ja 12.3 NF @ 25 V.
APTGT200DU120G Microchip Technology APTGT200DU120G 235.4600
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 AptGT200 890 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dual Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 1200 V 280 a 2,1 V @ 15V, 200a 350 µA NEIN 14 NF @ 25 V
APTGT200SK170D3G Microsemi Corporation APTGT200SK170D3G - - -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D-3-Modul 1250 w Standard D3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 400 a 2,4 V @ 15V, 200a 5 Ma NEIN 17 NF @ 25 V
APTGT225SK170G Microchip Technology APTGT225SK170G 229.9700
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTGT225 1250 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 340 a 2,4 V @ 15V, 225a 500 µA NEIN 20 NF @ 25 V
APTGT25A120T1G Microsemi Corporation APTGT25A120T1G - - -
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 156 w Standard Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 40 a 2,1 V @ 15V, 25a 250 µA Ja 1,8 NF @ 25 V.
APTGT300A60D3G Microchip Technology APTGT300A60D3G 217.9400
RFQ
 ECAD 5607 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg D-3-Modul Aptgt300 940 w Standard D3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 600 V 400 a 1,9 V @ 15V, 300A 500 µA NEIN 18,5 NF @ 25 V.
APTGT300DA120G Microchip Technology APTGT300DA120G 206.7717
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 Aptgt300 1380 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 420 a 2,1 V @ 15V, 300A 500 µA NEIN 21 NF @ 25 V
APTGT300DA170G Microchip Technology APTGT300DA170G 269.2320
RFQ
 ECAD 5664 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 Aptgt300 1660 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 400 a 2,4 V @ 15V, 300A 750 µA NEIN 26,5 NF @ 25 V.
APTGT300DU120G Microchip Technology APTGT300DU120G 303.2725
RFQ
 ECAD 8798 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 Aptgt300 1380 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dual Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 1200 V 420 a 2,1 V @ 15V, 300A 500 µA NEIN 21 NF @ 25 V
APTGT300DU60G Microchip Technology APTGT300DU60G 217.6800
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 Aptgt300 1150 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen APTGT300DU60GMP-ND Ear99 8541.29.0095 1 Dual Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 600 V 430 a 1,8 V @ 15V, 300A 350 µA NEIN 24 NF @ 25 V.
APTGT300SK170D3G Microsemi Corporation APTGT300SK170D3G - - -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D-3-Modul 1470 w Standard D3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 530 a 2,4 V @ 15V, 300A 8 ma NEIN 26 NF @ 25 V.
APTGT300SK60D3G Microchip Technology APTGT300SK60D3G 160.0600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Chassis -berg D-3-Modul Aptgt300 940 w Standard D3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 600 V 400 a 1,9 V @ 15V, 300A 500 µA NEIN 18,5 NF @ 25 V.
APTGT30DDA60T3G Microsemi Corporation APTGT30DDA60T3G - - -
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 90 w Standard SP3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dual Boost Chopper TRABENFELD STOPP 600 V 50 a 1,9 V @ 15V, 30a 250 µA Ja 1,6 NF @ 25 V.
APTGT400A120D3G Microchip Technology APTGT400A120D3G 400.2900
RFQ
 ECAD 6305 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D-3-Modul APTGT400 2100 w Standard D3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 580 a 2,1 V @ 15V, 400a 750 µA NEIN 29 NF @ 25 V.
APTGT400DA120D3G Microsemi Corporation APTGT400DA120D3G - - -
RFQ
 ECAD 7056 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D-3-Modul 2100 w Standard D3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 580 a 2,1 V @ 15V, 400a 750 µA NEIN 29 NF @ 25 V.
APTGT450DA60G Microchip Technology APTGT450DA60G 197.0100
RFQ
 ECAD 4013 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTGT450 1750 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 600 V 550 a 1,8 V @ 15V, 450a 500 µA NEIN 37 NF @ 25 V.
APTGT50A120TG Microsemi Corporation APTGT50A120TG - - -
RFQ
 ECAD 7737 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 277 w Standard Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 75 a 2,1 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 3.6 NF @ 25 V
APTGT50DA170TG Microsemi Corporation APTGT50DA170TG - - -
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 312 w Standard Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 75 a 2,4 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 4.4 NF @ 25 V
APTGT50DH120TG Microchip Technology APTGT50DH120TG 112.3700
RFQ
 ECAD 9726 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTGT50 277 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Asymmetrische Brücke TRABENFELD STOPP 1200 V 75 a 2,1 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 3.6 NF @ 25 V
APTGT50DH170TG Microchip Technology APTGT50DH170TG 135.5111
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTGT50 312 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Asymmetrische Brücke TRABENFELD STOPP 1700 v 75 a 2,4 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 4.4 NF @ 25 V
APTGT50DU120TG Microchip Technology APTGT50DU120TG 101.3000
RFQ
 ECAD 1027 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTGT50 277 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dual Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 1200 V 75 a 2,1 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 3.6 NF @ 25 V
APTGT50DU170TG Microsemi Corporation APTGT50DU170TG - - -
RFQ
 ECAD 6803 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 312 w Standard Sp4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dual Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 1700 v 75 a 2,4 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 4.4 NF @ 25 V
APTGT50H170TG Microchip Technology APTGT50H170TG 210.4000
RFQ
 ECAD 2528 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTGT50 312 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Vollbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1700 v 75 a 2,4 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 4.4 NF @ 25 V
APTGT50H60T1G Microchip Technology APTGT50H60T1G 65.4200
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 APTGT50 176 w Standard Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Vollbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 600 V 80 a 1,9 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 3.15 NF @ 25 V.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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