SIC
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IGBT -Modul (3267)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
DF200R12W1H3FB11BPSA1 Infineon Technologies DF200R12W1H3FB11BPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 5720 0.00000000 Infineon -technologien EasyPack ™ Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul DF200R12 20 MW Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001355692 Ear99 8541.29.0095 24 Einzelhubschlaar - - - 1200 V 30 a 1,45 V @ 15V, 30a 1 Ma Ja 6.15 NF @ 25 V.
FD1200R17HP4KB2BOSA2 Infineon Technologies FD1200R17HP4KB2BOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 7923 0.00000000 Infineon -technologien IHM-B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FD1200 6500 w Standard AG-IHVB130-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Einzelhubschlaar - - - 1700 v 1200 a 2,25 V @ 15V, 1,2 ka 5 Ma NEIN 97,5 NF @ 25 V.
FF800R17KP4B2NOSA2 Infineon Technologies FF800R17KP4B2NOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Ihm-a Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF800R17 1200 w Standard A-IHV130-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 2 Unabhängig TRABENFELD STOPP 1700 v 1200 a - - - 5 Ma NEIN 65 NF @ 25 V
FZ1600R12HP4HOSA2 Infineon Technologies FZ1600R12HP4HOSA2 692.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien IHM-B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FZ1600 9400 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Einzelschalter Graben 1200 V 2400 a 2,05 V @ 15V, 1,6 ka 5 Ma NEIN 98 NF @ 25 V
APT100GLQ65JU3 Microchip Technology APT100GLQ65JU3 28.2300
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C. Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT100 430 w Standard ISOTOP® - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q10742722 Ear99 8541.29.0095 1 Einzelhubschlaar TRABENFELD STOPP 650 V 165 a 2,3 V @ 15V, 1000a 50 µA NEIN 6.1 NF @ 25 V
GSID300A125S5C1 SemiQ GSID300A125S5C1 - - -
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 Semiq - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Gsid300 2500 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1560-1240 Ear99 8541.29.0095 10 3 Phase Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1250 V 600 a 2,4 V @ 15V, 300A 1 Ma Ja 30.8 NF @ 25 V.
GSID100A120T2C1 SemiQ GSID100A120T2C1 - - -
RFQ
 ECAD 2280 0.00000000 Semiq AMP+™ Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul Gsid100 640 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 3 Drei -Phase -wechselrichter - - - 1200 V 200 a 2,1 V @ 15V, 100a 1 Ma Ja 13.7 NF @ 25 V.
GSID150A120T2C1 SemiQ GSID150A120T2C1 - - -
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 Semiq AMP+™ Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul Gsid150 1087 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 3 Drei -Phase -wechselrichter - - - 1200 V 285 a 2,1 V @ 15V, 150a 1 Ma Ja 21.2 NF @ 25 V.
FS820R08A6P2BPSA1 Infineon Technologies FS820R08A6P2BPSA1 682,5000
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 Infineon -technologien Hybridpack ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS820R08 714 w Standard Ag-Hybridd-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 750 V 820 a 1,35 V @ 15V, 450a 1 Ma Ja 80 NF @ 50 V
FPF2C110BI07AS2 onsemi FPF2C110BI07AS2 - - -
RFQ
 ECAD 6172 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. K. Loch 30-Dip-Modul FPF2C110 300 w Standard F2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 70 Halbbrücke - - - 650 V 40 a 2,3 V @ 15V, 40a 250 µA Ja
VS-CPV363M4KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV363M4KPBF - - -
RFQ
 ECAD 3037 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 19-sip (13 Leads), IMS-2 CPV363 36 w Standard IMS-2 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 160 - - - 600 V 11 a 2,1 V @ 15V, 6a 250 µA NEIN 740 PF @ 30 V
VS-CPV363M4UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV363M4UPBF - - -
RFQ
 ECAD 3479 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 19-sip (13 Leads), IMS-2 CPV363 36 w Standard IMS-2 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 160 - - - 600 V 13 a 2,2 V @ 15V, 6,8a 250 µA NEIN 1.1 NF @ 30 V
VS-CPV364M4UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV364M4UPBF - - -
RFQ
 ECAD 4578 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 19-sip (13 Leads), IMS-2 CPV364 63 w Standard IMS-2 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 160 - - - 600 V 20 a 2,1 V @ 15V, 10a 250 µA NEIN 2.1 NF @ 30 V
IXXN110N65C4H1 IXYS Ixxn110N65C4H1 32.2200
RFQ
 ECAD 3986 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixxn110 750 w Standard SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Einzel Pt 650 V 210 a 2,35 V @ 15V, 110a 50 µA NEIN 3.69 NF @ 25 V
CM200EXS-34SA Powerex Inc. CM200Exs-34SA - - -
RFQ
 ECAD 9503 0.00000000 Powerex Inc. - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Modul 2000 w Standard Modul Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel - - - 1700 v 200 a 2,7 V @ 15V, 200a 1 Ma Ja 35 NF @ 10 V
APT40GL120JU2 Microchip Technology APT40GL120JU2 24.2202
RFQ
 ECAD 8463 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis, Stollenberg SOT-227-4, MiniBloc APT40GL120 220 w Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 65 a 2,25 V @ 15V, 35a 250 µA NEIN 1,95 NF @ 25 V.
APT40GL120JU3 Microchip Technology APT40GL120JU3 24.2202
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis, Stollenberg SOT-227-4, MiniBloc APT40GL120 220 w Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 65 a 2,25 V @ 15V, 35a 250 µA NEIN 1,95 NF @ 25 V.
APTGT100A1202G Microsemi Corporation APTGT100A1202G - - -
RFQ
 ECAD 2878 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Sp2 480 w Standard Sp2 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 140 a 2,1 V @ 15V, 100a 50 µA NEIN 7.2 NF @ 25 V
MIEB101W1200EH IXYS Mieb101W1200EH 174.9860
RFQ
 ECAD 8233 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E3 Mieb101 630 w Standard E3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5 Drei -Phase -wechselrichter - - - 1200 V 183 a 2,2 V @ 15V, 100a 300 µA NEIN 7.43 NF @ 25 V
MIXA10W1200TML IXYS MIXA10W1200TML - - -
RFQ
 ECAD 7628 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E1 Mixa10 65 w Standard E1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter Pt 1200 V 17 a 2,1 V @ 15V, 9A 150 µa Ja
MIXA10WB1200TED IXYS MIXA10WB1200TED 68.1200
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E2 Mixa10 60 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER E2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse Pt 1200 V 17 a 2,1 V @ 15V, 9A 700 µA Ja
MIXA20W1200MC IXYS MIXA20W1200MC - - -
RFQ
 ECAD 7350 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Öko-PAC2 Mixa20 100 w Standard Öko-PAC2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 Drei -Phase -wechselrichter Pt 1200 V 28 a 2,1 V @ 15V, 16a 200 µA NEIN
MIXA20WB1200TED IXYS MIXA20WB1200TED 70.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E2 Mixa20 100 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER E2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse Pt 1200 V 28 a 2,1 V @ 15V, 16a 1,5 Ma Ja
MIXA40W1200TML IXYS MIXA40W1200TML - - -
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E1 Mixa40 195 w Standard E1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse Pt 1200 V 60 a 2,1 V @ 15V, 35a 150 µa Ja
APT25GLQ120JCU2 Microchip Technology APT25GLQ120JCU2 36.7400
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis, Stollenberg SOT-227-4, MiniBloc APT25GLQ120 170 w Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 45 a 2,4 V @ 15V, 25a 250 µA NEIN 1,43 NF @ 25 V.
APT40GLQ120JCU2 Microchip Technology APT40GLQ120JCU2 39.4404
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis, Stollenberg SOT-227-4, MiniBloc APT40GLQ120 312 w Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 80 a 2,4 V @ 15V, 40a 25 µA NEIN 2.3 NF @ 25 V.
APTGL700SK120D3G Microchip Technology APTGL700SK120D3G 312.7200
RFQ
 ECAD 9898 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Aptgl700 3000 w Standard D3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 840 a 2,2 V @ 15V, 600A 5 Ma NEIN 37.2 NF @ 25 V.
APTGLQ75H120T3G Microchip Technology APTGLQ75H120T3G 125.0600
RFQ
 ECAD 2190 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Sp1 Aptglq75 385 w Standard Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Volle Brucke TRABENFELD STOPP 1200 V 130 a 2,4 V @ 15V, 75A 50 µA Ja 4.4 NF @ 25 V
APTGT50A1202G Microsemi Corporation APTGT50A1202G - - -
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp2 277 w Standard Sp2 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 75 a 2,1 V @ 15V, 50a 50 µA NEIN 3.6 NF @ 25 V
APTGT75DH120T3G Microchip Technology APTGT75DH120T3G 90.1600
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 AptGT75 357 w Standard SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Asymmetrische Brücke TRABENFELD STOPP 1200 V 110 a 2,1 V @ 15V, 75a 250 µA Ja 5.34 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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