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IGBT -Modul (3267)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-GT200TP065N | - - - |  | 7892 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Int-a-Pak | GT200 | 600 w | Standard | Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | Graben | 650 V | 221 a | 2,12 V @ 15V, 200a | 60 µA | NEIN | |||
 | VS-GP250SA60S | - - - | | 7566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GP250 | 893 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | PT, Graben | 600 V | 380 a | 1,3 V @ 15V, 100a | 100 µA | NEIN | |||
 | MG06400D-BN4mm | - - - | | 4967 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | 1250 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 500 a | 1,45 V @ 15V, 400A (Typ) | 1 Ma | NEIN | 26 NF @ 25 V. | ||||
| VS-100MT060WDF | - - - | | 8536 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 16-MTP-Modul | 100MT060 | 462 w | Standard | MTP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS100MT060WDF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | - - - | 600 V | 121 a | 2,29 V @ 15V, 60a | 100 µA | Ja | 9.5 NF @ 30 V | ||
| VS-20MT050XC | - - - | | 5741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | - - - | - - - | 20mt050 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS20MT050XC | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | - - - | - - - | - - - | NEIN | ||||||
| VS-20MT120UFAPBF | - - - | | 8023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 16-MTP-Modul | 20mt120 | 240 w | Standard | MTP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS20MT120UFAPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 1200 V | 20 a | 4,66v @ 15V, 40a | 250 µA | NEIN | 3.79 NF @ 30 V | |
| VS-70MT060WSP | - - - | | 8101 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 12-MTP-Modul | 70MT060 | 378 w | Einphasenbrückenreichrichter | MTP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS70MT060WSP | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Einzel | - - - | 600 V | 96 a | 2,15 V @ 15V, 40a | 100 µA | Ja | 7.43 NF @ 30 V | |
| VS-GT400th120N | - - - | | 2344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 8) | GT400 | 2119 w | Standard | Double Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgt400th120n | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | Graben | 1200 V | 600 a | 2,15 V @ 15V, 400A | 5 Ma | NEIN | 28.8 NF @ 25 V. | |
| VS-GT50TP60N | - - - | | 2413 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | INT-A-PAK (3 + 4) | GT50 | 208 w | Standard | Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGT50TP60N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | Graben | 600 V | 85 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 1 Ma | NEIN | 3.03 NF @ 30 V | |
| VS-GA100TS60SFPBF | - - - | | 1054 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Int-a-Pak | GA100 | 780 w | Standard | Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGA100TS60SFPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | Pt | 600 V | 220 a | 1,28 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 16.25 NF @ 30 V | |
 | VS-GA200SA60UP | - - - | | 6509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GA200 | 500 w | Standard | SOT-227 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGA200SA60UP | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 600 V | 200 a | 1,9 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 16,5 NF @ 30 V | |
| VS-GB05XP120KTPBF | - - - | | 5750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 12-MTP-Modul | GB05 | 76 w | Standard | MTP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB05XP120KTPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 12 a | - - - | 250 µA | Ja | ||
| VS-GB100DA60UP | - - - | | 4740 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GB100 | 447 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSGB100DA60UP | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | - - - | 600 V | 125 a | 2,8 V @ 15V, 100a | 100 µA | NEIN | |||
| VS-GB100LH120N | - - - | | 2036 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB100 | 833 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB100LH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzel | - - - | 1200 V | 200 a | 1,77 V @ 15V, 100A (Typ) | 1 Ma | NEIN | 8.96 NF @ 25 V | |
| VS-GB100th120U | - - - | | 4082 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB100 | 1136 w | Standard | Double Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgb100th120u | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 200 a | 3,6 V @ 15V, 100a | 5 Ma | NEIN | 8.45 NF @ 20 V | |
| VS-GB150TS60NPBF | - - - | | 6749 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | INT-A-PAK (3 + 4) | GB150 | 500 w | Standard | Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB150TS60NPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | Npt | 600 V | 138 a | 3v @ 15V, 150a | 200 µA | NEIN | ||
| VS-GB15XP120KTPBF | - - - | | 5764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 12-MTP-Modul | GB15 | 187 w | Standard | MTP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB15XP120KTPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Drei -Phase -wechselrichter | Npt | 1200 V | 30 a | 3,66 V @ 15V, 30a | 250 µA | Ja | 1,95 NF @ 30 V | |
| VS-GB200th120U | - - - | | 9330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB200 | 1316 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgb200th120u | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 330 a | 3,6 V @ 15V, 200a | 5 Ma | NEIN | 16.9 NF @ 30 V | |
| VS-GB300LH120N | - - - | | 5475 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB300 | 1645 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB300LH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzel | - - - | 1200 V | 500 a | 2V @ 15V, 300A (Typ) | 5 Ma | NEIN | 21.2 NF @ 25 V. | |
| VS-GB70LA60UF | - - - | | 4224 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GB70 | 447 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSGB70LA60UF | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | Npt | 600 V | 111 a | 2,44 V @ 15V, 70a | 100 µA | NEIN | |||
| VS-GB75YF120N | - - - | | 9089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | GB75 | 480 w | Standard | Econo2 4pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgb75yf120n | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | - - - | 1200 V | 100 a | 4,5 V @ 15V, 100a | 250 µA | NEIN | |||
| VS-GT140DA60U | 68.0600 | | 9869 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GT140 | 652 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | Graben | 600 V | 200 a | 2v @ 15V, 100a | 100 µA | NEIN | |||
| VS-GT300YH120N | 208.0242 | | 1757 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 8) | GT300 | 1042 w | Standard | Double Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGT300YH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | Graben | 1200 V | 341 a | 2,17 V @ 15V, 300A (Typ) | 300 µA | NEIN | 36 NF @ 30 V | |
| MG17225WB-BN4mm | - - - | | 1273 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1400 w | Standard | Wb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | -MG17225WB-BN4mm | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 325 a | 2,45 V @ 15V, 225a | 3 ma | Ja | 20,5 NF @ 25 V. | |||
| MG06300D-BN4mm | - - - | | 4230 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 940 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 400 a | 1,45 V @ 15V, 300A (Typ) | 1 Ma | NEIN | 19 NF @ 25 V. | ||||
| MG12100D-BA1MM | - - - | | 3120 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1000 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 160 a | 1,8 V @ 15V, 100A (Typ) | 1 Ma | NEIN | 8.58 NF @ 25 V. | ||||
| MG12150D-BA1MM | - - - | | 5669 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1100 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 210 a | 1,8 V @ 15V, 150a (Typ) | 1 Ma | NEIN | 11 NF @ 25 V | ||||
| MG12300D-BA1MM | - - - | | 8374 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1800 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 450 a | 1,9 V @ 15V, 300A (Typ) | 2 Ma | NEIN | 21.2 NF @ 25 V. | ||||
 | MG12450WB-BN2mm | - - - | | 5478 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1950 w | Standard | Wb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 600 a | 1,7 V @ 15V, 450a (Typ) | 1 Ma | Ja | 32 NF @ 25 V. | ||||
 | MG06200S-BN4mm | - - - | | 4236 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | S-3-Modul | 600 w | Standard | S3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 300 a | 1,45 V @ 15V, 200a (Typ) | 1 Ma | NEIN | 13 NF @ 25 V |
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