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Dioden (29505)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
BYW74TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW74TR 0,5346
RFQ
 ECAD 5967 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch SOD-64, axial BYW74 Lawine SOD-64 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 12.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,1 V @ 3 a 200 ns 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a - - -
VS-VSKC250-12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC250-12PBF 175.6450
RFQ
 ECAD 5456 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Int-a-Pak VSKC250 Standard Int-a-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VSVSKC25012PBF Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1200 V 125a 50 mA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
VSKE320-20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKE320-20 - - -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg 3-magn-a-pak ™ Vske320 Standard Magn-a-Pak® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2000 v 50 mA @ 2000 V 320a - - -
VS-16FR120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FR120 8.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 16fr120 Standard, Umgekehrte Polarität DO-203AA (DO-4) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,23 V @ 50 a 12 mA @ 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 16a - - -
P300J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P300J-E3/54 0,4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-201ad, axial P300 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.400 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,2 V @ 3 a 2 µs 5 µa @ 600 V -50 ° C ~ 150 ° C. 3a 30pf @ 4v, 1 MHz
20ETS12FP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETS12FP - - -
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 Full Pack 20ets12 Standard To-220AC Full Pack Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,1 V @ 20 a 100 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 20a - - -
BYT53B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byt53b-tap 0,2772
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Box (TB) Aktiv K. Loch SOD-57, axial Byt53 Lawine SOD-57 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 25.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 175 ° C. 1.9a - - -
MBR7H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR7H60HE3/45 - - -
RFQ
 ECAD 3526 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 MBR7 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 730 MV @ 7,5 a 50 µa @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C. 7.5a - - -
MBRF15H45CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF15H45CT-E3/45 - - -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte MBRF15 Schottky ITO-220AB - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 7.5a 630 MV @ 7,5 a 50 µa @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C.
S2M-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2M-M3/52T 0,0888
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB S2m Standard Do-214AA (SMB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 750 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,15 V @ 1,5 a 2 µs 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 16PF @ 4V, 1 MHz
RS1J-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1J-M3/61T 0,0577
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA RS1J Standard Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,3 V @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 7pf @ 4v, 1 MHz
UGB18BCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugb18bcthe3_a/p - - -
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab UGB18 Standard To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 18a 1,1 V @ 9 a 30 ns 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C.
VSD3913 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSD3913 - - -
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Veraltet Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud VSD3913 Standard DO-203AB (DO-5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 100 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 30a - - -
GSIB6A60N-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB6A60N-M3/45 - - -
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GSIB-5S GSIB6 Standard GSIB-5S - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 3 a 10 µa @ 600 V 15 a Einphase 600 V
VS-12CWQ10FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ10FNTRL-M3 0,9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 12cwq10 Schottky D-Pak (to-252aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 6a 950 mv @ 12 a 1 ma @ 100 v 150 ° C (max)
VBT4045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT4045C-M3/4W 1.6536
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division TMBS® Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab VBT4045 Schottky To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 20a 580 mv @ 20 a 3 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C.
VBT1045C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1045C-E3/8W 0.6001
RFQ
 ECAD 4681 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division TMBS® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab VBT1045 Schottky To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 5a 580 mv @ 5 a 500 µa @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C.
1N4005GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GPEHE3/53 - - -
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Superectifier® Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4005 Standard DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 1 a 2 µs 5 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8PF @ 4V, 1 MHz
ES1PC-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1PC-M3/85A 0,1594
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division ESMP® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-220aa Es1 Standard DO-220AA (SMP) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 920 mv @ 1 a 25 ns 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
VS-MURB820-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURB820-1PBF - - -
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Murb820 Standard To-262aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Vsmurb8201pbf Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 975 mv @ 8 a 20 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 8a - - -
UGB18CCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB18CCThe3_A/p - - -
RFQ
 ECAD 6859 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab UGB18 Standard To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 18a 1,1 V @ 9 a 30 ns 10 µA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C.
VS-MBR2045CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2045CT-N3 - - -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 MBR20 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VS-MBR2045CT-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 10a 840 mv @ 20 a 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BY448GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division By448GP-E3/73 0,9100
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Superectifier® Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial BY448 Standard DO-204AC (Do-15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1650 v 1,6 V @ 3 a 20 µs 5 µa @ 1650 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1,5a - - -
BZX55B51-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B51-TAP 0,2200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZX55 Klebeband (CT) Schneiden Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX55B51 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 39 V 51 v 125 Ohm
BZT55B13-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B13-GS18 0,0433
RFQ
 ECAD 3265 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZT55 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SOD-80-Variale BZT55B13 500 MW SOD-80 Quadromelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 10 v 13 v 26 Ohm
VS-SD600R04PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD600R04PC 131.1883
RFQ
 ECAD 8706 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg B-8 SD600 Standard B-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,31 V @ 1500 a 35 mA @ 400 V -40 ° C ~ 180 ° C. 600a - - -
BZT52C16-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C16-E3-08 0,2700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZT52 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52C16 410 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 100 Na @ 12 V. 16 v 13 Ohm
1N5627-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5627-Tap 1.0900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch SOD-64, axial 1N5627 Lawine SOD-64 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1 V @ 3 a 7,5 µs 1 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 60pf @ 4v, 1 MHz
VS-MBRS130LTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS130LTRPBF - - -
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB MBRS1 Schottky Do-214AA (SMB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 420 mv @ 1 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C. 1a - - -
MMSZ5262C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5262C-E3-08 0,0433
RFQ
 ECAD 3744 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5262 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 100 na @ 39 V 51 v 125 Ohm
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    2000+

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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