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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4148W-HE3-08 | 0,2400 |  | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 1N4148 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | - - - | |||||||||
 | VS-5EAH02-M3/H | 0,5800 | | 300 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 2-vdfn | VS-5EAH02 | Standard | DFN3820A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 970 mv @ 5 a | 25 ns | 4 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
 | S3JHM3_A/H | 0,1873 | | 1462 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S3J | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-S3JHM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 2,5 a | 2,5 µs | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||
 | BZM55B33-TR3 | 0,0433 | | 4330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZM55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | BZM55B33 | 500 MW | Mikrokomelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 24 V. | 33 v | 220 Ohm | |||||||||||
 | VS-50WQ03FNTRR-M3 | 0,3226 | | 2858 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 50WQ03 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS50WQ03FNTRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 460 mv @ 5 a | 3 ma @ 30 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5.5a | 590pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||
 | V20KL45-m3/h | 0,8700 | | 8744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 20 a | 1 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5.4a | 3400PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-HFA32PA120C-N3 | 10.0040 | | 4469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | HFA32 | Standard | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSHFA32PA120CN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 16a | 3 V @ 16 a | 30 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
 | GDZ12B-HE3-18 | 0,0378 | | 7991 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, GDZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz12 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 9 V | 12 v | 30 Ohm | ||||||||||||
 | RS2AHE3/5BT | - - - | | 8494 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | RS2 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | VT6045CHM3/4W | - - - | | 3452 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | VT6045 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VT6045CHM34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 30a | 640 mv @ 30 a | 3 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
 | MP740-E3/54 | - - - | | 6648 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | MP740 | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | - - - | 1a | - - - | ||||||||||||
 | SB560A-E3/54 | 0,6300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SB560 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 5 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
 | V8P22C-M3/i | 0,2970 | | 7508 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V8P22C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 3.1a | 900 mv @ 4 a | 80 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
 | V10K202DUhm3/i | 0,5118 | | 4057 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak 5x6 (Dual) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10K202DUhm3/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 100 v | 1.9a | 890 mv @ 5 a | 15 µa @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| V10K202Chm3/h | 0,7374 | | 4939 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10K202Chm3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 2.8a | 870 mv @ 5 a | 15 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | BZT55C39-GS08 | 0,0283 | | 4032 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | BZT55C39 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 v | 39 v | 90 Ohm | |||||||||||
 | IMBD4148-HE3-08 | 0,2200 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | IMBD4148 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 70 V | 150 ° C (max) | 150 Ma | - - - | |||||||||
 | VS-20AWT04TRRHE3 | - - - | | 3434 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 20AWT04 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| BA158GPEHE3/54 | - - - | | 5544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BA158 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | SUF30J-E3/54 | - - - | | 9177 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | P600, axial | Suf30 | Standard | P600 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 3 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||
 | V2P6L-M3/h | 0,4000 | | 302 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | V2P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 600 mv @ 2 a | 480 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 255PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | VS-VSKD320-16PBF | 201.1700 | | 5008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | 3-magn-a-pak ™ | VSKD320 | Standard | Magn-a-Pak® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKD32016PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1600 v | 160a | 50 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| BYM07-50HE3_A/i | - - - | | 3683 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | BYM07 | Standard | Do-213AA (GL34) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | BYM07-50HE3_B/i | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | 7pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| VS-6CWQ06FNTRL-M3 | 0,7800 | | 6566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 6cwq06 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 3.5a | 610 mv @ 3 a | 2 ma @ 60 v | 150 ° C (max) | ||||||||||
 | VS-6TQ035STRRPBF | - - - | | 2489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 6tq035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 600 mv @ 6 a | 800 µa @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 400PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||||
 | Sml4740ahe3_a/h | 0,5600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4740 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | ||||||||||||
| Smpz3930b-e3/84a | - - - | | 5733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SMPZ39 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 NA @ 12.2 V. | 16 v | 10 Ohm | |||||||||||
| BZT55C3V6-GS18 | 0,2100 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | BZT55C3V6 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | |||||||||||
| 47CTQ020 | - - - | | 1796 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | 47ctq | Schottky | To-220-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 20 v | 20a | 450 mV @ 20 a | 3 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| V20120SG-M3/4W | 0,5986 | | 3023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | V20120 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 1,33 V @ 20 a | 250 µa @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - |
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